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1. (WO2019045059) COMPOSITION À BASE DE DÉRIVÉ DE FULLERÈNE
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N° de publication : WO/2019/045059 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/032420
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2018
CIB :
C07D 209/70 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/46 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
209
Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons condensés avec d'autres cycles, ne comportant qu'un atome d'azote comme unique hétéro-atome du cycle
56
Systèmes cycliques contenant au moins trois cycles
58
condensés en [b] ou en [c]
70
contenant des carbocycles autres que des cycles à six chaînons
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42
spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
46
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
ダイキン工業株式会社 DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中崎西2丁目4番12号 梅田センタービル Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308323, JP
国立大学法人金沢大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY [JP/JP]; 石川県金沢市角間町ヌ7番地 Nu 7, Kakuma-machi, Kanazawa-shi, Ishikawa 9201192, JP
Inventeurs :
永井 隆文 NAGAI, Takabumi; JP
岸川 洋介 KISHIKAWA, Yosuke; JP
高橋 光信 TAKAHASHI, Kohshin; JP
辛川 誠 KARAKAWA, Makoto; JP
桑原 貴之 KUWABARA, Takayuki; null
Mandataire :
特許業務法人三枝国際特許事務所 SAEGUSA & PARTNERS; 大阪府大阪市中央区道修町1-7-1 北浜TNKビル Kitahama TNK Building, 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410045, JP
Données relatives à la priorité :
2017-16898601.09.2017JP
Titre (EN) FULLERENE DERIVATIVE COMPOSITION
(FR) COMPOSITION À BASE DE DÉRIVÉ DE FULLERÈNE
(JA) フラーレン誘導体組成物
Abrégé :
(EN) The present invention addresses the problem of providing a fullerene derivative composition which contributes to improvements in the power generation performance and structural stability of photoelectric conversion layers and which can contribute to the production of organic thin-film solar cell devices having excellent durability. The fullerene derivative composition comprises a fullerene derivative (1) represented by formula (1) [wherein R11 represents an organic group, R12 represents an organic group, and ring A represents a fullerene ring] and a fullerene derivative (2) represented by formula (2) [wherein R21 represents an organic group, R22 represents an organic group, R23 represents an organic group, and ring A represents a fullerene ring].
(FR) La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une composition à base de dérivé de fullerène qui contribue à des améliorations de la performance de génération d'énergie, et de la stabilité structurelle de couches destinées à la conversion photoélectrique, et qui peut contribuer à la production de dispositifs de cellule solaire à couche mince organique ayant une excellente durabilité. La présente invention concerne une composition à base de dérivé de fullerène qui comprend un dérivé de fullerène (1) représenté par la formule (1) [dans laquelle R11 représente un groupe organique, R12 représente un groupe organique, et l'anneau A représente un anneau de fullerène] et un dérivé de fullerène (2) représenté par la formule (2) [dans laquelle R21 représente un groupe organique, R22 représente un groupe organique, R23 représente un groupe organique, et l'anneau A représente un anneau de fullerène].
(JA) 本発明は、光電変換層の発電性能、及び構造安定性の向上に寄与し、及び、耐久性に優れた有機薄膜太陽電池デバイス製造に貢献できるフラーレン誘導体組成物等の提供を課題とする。前記課題は、式(1):[式中、R11は、有機基を表し、R12は、有機基を表し、及び環Aは、フラーレン環を表す。]で表されるフラーレン誘導体(1)、及び式(2):[式中、R21は、有機基を表し、R22は、有機基を表し、R23は、有機基を表し、及び環Aは、フラーレン環を表す。]で表されるフラーレン誘導体(2)を含有する、フラーレン誘導体組成物によって達成される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)