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1. (WO2019044874) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
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N° de publication : WO/2019/044874 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031879
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
G03F 7/027 (2006.01) ,C08G 73/10 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
027
Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
73
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévus dans les groupes C08G12/-C08G71/253
06
Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale de la macromolécule; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
10
Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
Déposants :
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
Inventeurs :
大橋 拓矢 OHASHI Takuya; JP
西村 直也 NISHIMURA Naoya; JP
遠藤 雅久 ENDO Masahisa; JP
岸岡 高広 KISHIOKA Takahiro; JP
Mandataire :
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16878501.09.2017JP
2018-07889417.04.2018JP
Titre (EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
(JA) 感光性樹脂組成物
Abrégé :
(EN) Provided are: a photosensitive resin composition which enables the achievement of a cured body that is further decreased in dielectric constant and dielectric loss tangent; a method for producing a cured relief pattern with use of this photosensitive resin composition; and a semiconductor device which is provided with this cured relief pattern. A negative photosensitive resin composition which contains 100 parts by mass of (A) a polyimide precursor that has a specific unit structure and 0.1-20 parts by mass of (B) a radical photopolymerization initiator.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine photosensible qui permet d'obtenir un corps durci dont la constante diélectrique et la tangente de perte diélectrique sont davantage diminuées ; un procédé qui emploie cette composition de résine photosensible pour produire un motif en relief durci ; et un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu de ce motif en relief durci. L'invention concerne une composition de résine photosensible négative qui contient 100 parties en masse de (A), un précurseur de polyimide qui a une structure unitaire spécifique, et 0,1 à 20 parties en masse de (B), un initiateur de photopolymérisation radicalaire.
(JA) 脂組成物として誘電率や誘電正接のさらなる低減化された硬化体を与える感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いて硬化レリーフパターンを製造する方法、及び該硬化レリーフパターンを備える半導体装置を提供する。 (A)特定の単位構造を有するポリイミド前駆体:100質量部;及び(B)ラジカル型光重合開始剤:0.1質量部~20質量部;を含むネガ型感光性樹脂組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)