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1. (WO2019044850) COMPOSANT ET APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/044850 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031817
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
08
Oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
28
par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire
Déposants :
学校法人 芝浦工業大学 SHIBAURA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都江東区豊洲三丁目7番5号 7-5, Toyosu 3-chome, Koto-ku, Tokyo 1358548, JP
東芝マテリアル株式会社 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522, JP
Inventeurs :
湯本 敦史 YUMOTO Atsushi; JP
菅野 智広 SUGANO Tomohiro; JP
日野 高志 HINO Takashi; JP
井上 哲夫 INOUE Tetsuo; JP
齋藤 秀一 SAITO Shuichi; JP
Mandataire :
特許業務法人サクラ国際特許事務所 SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; 東京都千代田区内神田一丁目18番14号 ヨシザワビル Yoshizawa Bldg., 18-14, Uchikanda 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010047, JP
Données relatives à la priorité :
2017-16852401.09.2017JP
Titre (EN) COMPONENT AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) COMPOSANT ET APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 部品および半導体製造装置
Abrégé :
(EN) This component is provided with a film that contains yttrium oxide. A cross-sectional surface of the film has a first portion, a second portion and a third portion; and the first to third portions are away from each other by 0.5 mm or more. The Vickers hardness B1 measured in the first portion, the Vickers hardness B2 measured in the second portion, the Vickers hardness B3 measured in the third portion, and the average A of the Vickers hardnesses B1 to B3 respectively have values that satisfy 0.8A ≤ B1 ≤ 1.2A, 0.8A ≤ B2 ≤ 1.2A and 0.8A ≤ B3 ≤ 1.2A.
(FR) L'invention concerne un composant comprenant un film qui contient de l'oxyde d'yttrium. Une surface de section transversale du film a une première partie, une seconde partie et une troisième partie ; et les première à troisième parties sont éloignées les unes des autres d'au minimum 0,5 mm. La dureté Vickers B1 mesurée dans la première partie, la dureté Vickers B2 mesurée dans la seconde partie, la dureté Vickers B3 mesurée dans la troisième partie, et la moyenne A des duretés Vickers B1 à B3 ont respectivement des valeurs qui satisfont à 0,8A ≤ B1 ≤ 1,2A, 0,8A ≤ B2 ≤ 1,2A et 0,8A ≤ B3 ≤ 1,2A
(JA) 部品は、酸化イットリウムを含む膜を具備する。膜の断面は、第1の箇所と、第2の箇所と、第3の箇所と、を有し、第1ないし第3の箇所が互いに0.5mm以上離れている。第1の箇所で測定されるビッカース硬さB1、第2の箇所で測定されるビッカース硬さB2、第3の箇所で測定されるビッカース硬さB3、およびビッカース硬さB1ないしB3の平均値Aは、それぞれ0.8A≦B1≦1.2A、0.8A≦B2≦1.2A、および0.8A≦B3≦1.2Aを満足する数である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)