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1. (WO2019044798) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, FEUILLE POUR PRESSAGE À CHAUD, ET COMPOSITION DE RÉSINE THERMODURCISSABLE POUR PRESSAGE À CHAUD
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N° de publication : WO/2019/044798 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031678
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
Inventeurs :
小関 裕太 KOSEKI Yuta; JP
本田 一尊 HONDA Kazutaka; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
平野 裕之 HIRANO Hiroyuki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16340728.08.2017JP
2018-13143511.07.2018JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, SHEET FOR HOT PRESSING, AND THERMOSETTING RESIN COMPOSITION FOR HOT PRESSING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, FEUILLE POUR PRESSAGE À CHAUD, ET COMPOSITION DE RÉSINE THERMODURCISSABLE POUR PRESSAGE À CHAUD
(JA) パワー半導体装置を製造する方法、熱プレス用シート及び熱プレス用熱硬化性樹脂組成物
Abrégé :
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a power semiconductor device provided with a wiring board and a power semiconductor element mounted on the wiring board. This method comprises a step in which a laminate having a wiring board, a power semiconductor element, and a metal particle-containing sintered material is heated and pressed by being sandwiched between a stage and a crimping head, and thereby a wiring layer and an electrode are electrically connected via a sintered metal layer formed by sintering the sintered material. The laminate is heated and pressed in a state in which a sheet that is for hot pressing and has a thermosetting resin layer is disposed between the laminate and the crimping head.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de puissance pourvu d'une carte de câblage et d'un élément à semi-conducteur de puissance monté sur la carte de câblage. Ce procédé comprend une étape dans laquelle un stratifié ayant une carte de câblage, un élément à semi-conducteur de puissance et un matériau fritté contenant des particules métalliques est chauffé et pressé en étant pris en sandwich entre un étage et une tête de sertissage, une couche de câblage et une électrode étant ainsi électriquement connectées par l'intermédiaire d'une couche métallique frittée formée par frittage du matériau fritté. Le stratifié est chauffé et pressé à un état dans lequel une feuille qui est destinée à être pressée à chaud et comporte une couche de résine thermodurcissable est disposée entre le stratifié et la tête de sertissage.
(JA) 配線基板及び該配線基板に搭載されたパワー半導体素子を備えるパワー半導体装置を製造する方法が開示される。当該方法は、配線基板とパワー半導体素子と金属粒子を含む焼結材とを有する積層体を、ステージ及び圧着ヘッドで挟むことによって加熱及び加圧し、それにより、焼結材の焼結により形成された焼結金属層を介して配線層と電極とを電気的に接続する工程を備える。積層体と圧着ヘッドとの間に、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させた状態で、積層体が加熱及び加圧される。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)