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1. (WO2019044748) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS ET CONVERTISSEUR DE COURANT ÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/044748 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031521
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 27.08.2018
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
中嶋 純一 NAKASHIMA, Junichi; JP
森崎 翔太 MORISAKI, Shota; JP
玉田 美子 TAMADA, Yoshiko; JP
中山 靖 NAKAYAMA, Yasushi; JP
根岸 哲 NEGISHI, Tetsu; JP
津田 亮 TSUDA, Ryo; JP
林田 幸昌 HAYASHIDA, Yukimasa; JP
伊達 龍太郎 DATE, Ryutaro; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2017-16944604.09.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRIC POWER CONVERTER
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS ET CONVERTISSEUR DE COURANT ÉLECTRIQUE
(JA) 半導体モジュール及び電力変換装置
Abrégé :
(EN) According to the present invention, gates of a plurality of semiconductor switching elements (12) are electrically connected to a common gate control pattern (10) by means of wires (15); and sources of the plurality of semiconductor switching elements (12) are electrically connected to a common source control pattern (11) by means of wires (16). Since the gate control pattern (10) is arranged so as to sandwich the source control pattern (11) between itself and the plurality of semiconductor switching elements (12), which are connected in parallel and operate in parallel, the wires (15) are longer than the wires (16) and have higher inductances than the wires (16). Consequently, gate oscillation of the plurality of semiconductor switching elements (12), which are connected in parallel and operate in parallel, are reduced or suppressed.
(FR) Selon la présente invention, des grilles d'une pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12) sont électriquement connectées à un motif de commande de grille commun (10) au moyen de fils (15) ; et des sources de la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12) sont électriquement connectées à un motif de commande de source commun (11) au moyen de fils (16). Comme le motif de commande de grille (10) est agencé de manière à prendre en sandwich le motif de commande de source (11) entre lui-même et la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12), qui sont connectés en parallèle et fonctionnent en parallèle, les fils (15) sont plus longs que les fils (16) et ont des inductances plus élevées que les fils (16). Par conséquent, l'oscillation de grille de la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12), qui sont connectés en parallèle et fonctionnent en parallèle, est réduite ou supprimée.
(JA) 複数の半導体スイッチング素子(12)のゲートは、ワイヤ(15)によって共通のゲート制御パターン(10)と電気的に接続される。複数の半導体スイッチング素子(12)のソースは、ワイヤ(16)によって共通のソース制御パターン(11)と電気的に接続される。ゲート制御パターン(10)は、並列接続されて並列動作する複数の半導体スイッチング素子(12)に対して、ソース制御パターン(11)を挟んで配置されるので、ワイヤ(15)は、ワイヤ(16)よりも長くなり、ワイヤ(16)よりも大きいインダクタンスを有する。これにより、並列接続されて並列動作する複数の半導体スイッチング素子(12)におけるゲート発振を軽減又は抑制する。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)