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1. (WO2019044601) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'OXYDE DE TUNGSTÈNE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'HEXAFLUORURE DE TUNGSTÈNE
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N° de publication : WO/2019/044601 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030913
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 22.08.2018
CIB :
C01G 41/04 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
41
Composés du tungstène
04
Halogénures
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
Déposants :
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
Inventeurs :
長友 真聖 NAGATOMO, Masakiyo; JP
八尾 章史 YAO, Akifumi; JP
北 拓也 KITA, Takuya; JP
上島 修平 UESHIMA, Shuhei; JP
菊池 亜紀応 KIKUCHI, Akiou; JP
Mandataire :
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16393829.08.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PROCESSING TUNGSTEN OXIDE AND METHOD FOR PRODUCING TUNGSTEN HEXAFLUORIDE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'OXYDE DE TUNGSTÈNE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'HEXAFLUORURE DE TUNGSTÈNE
(JA) タングステン酸化物の処理方法及び六フッ化タングステンの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a method for converting tungsten oxide into a substance having a high vapor pressure selectively with respect to tungsten metal at a reaction temperature that is lower than 500°C without generating oxygen and water due to the reaction. Although tungsten hexafluoride scarcely reacts with tungsten metal, tungsten oxide is brought into contact with tungsten hexafluoride according to the present invention and is converted into a fluorinated tungstate having a high vapor pressure by a reaction expressed by reaction formula (7) or the like. WO3 + 2WF6 → 3WOF4 Reaction formula (7)
(FR) La présente invention concerne un procédé de conversion d'oxyde de tungstène en une substance ayant une pression de vapeur élevée sélectivement par rapport à un métal tungstène à une température réactionnelle qui est inférieure à 500 °C sans générer d'oxygène et d'eau dû à la réaction. Bien que l'hexafluorure de tungstène réagisse rarement avec le métal tungstène, l'oxyde de tungstène est porté en contact avec l'hexafluorure de tungstène selon la présente invention et est converti en un tungstate fluoré ayant une pression de vapeur élevée par une réaction exprimée par la formule réactionnelle (7) ou similaire. WO3 + 2WF6 → 3WOF4 Formule réactionnelle (7)
(JA) 反応温度が500℃未満で、かつ反応によって酸素及び水を生成させることなく、金属タングステンに対して選択的にタングステン酸化物を蒸気圧の高い物質へ変換する方法を提供する。六フッ化タングステンは金属タングステンとほとんど反応しないが、本発明の方法では、タングステン酸化物を六フッ化タングステンに接触させて、反応式(7)に示す反応などにより、蒸気圧の高いタングステン酸フッ化物に転化される。 WO3+2WF6→3WOF4 …反応式(7)
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)