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1. (WO2019044547) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/044547 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030541
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 17.08.2018
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 12/24 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
12
Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule double liaison carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par un noyau carbocyclique aromatique
02
Monomères ne contenant qu'un seul radical aliphatique non saturé
04
contenant un seul cycle
14
substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
22
Oxygène
24
Phénols ou alcools
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
米久田 康智 YONEKUTA Yasunori; JP
畠山 直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
吉村 務 YOSHIMURA Tsutomu; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16776831.08.2017JP
Titre (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is an active light sensitive or radiation sensitive resin composition which enables the formation of a pattern having excellent resolution and shape characteristics even if used in thick film applications. Also provided are: a resist film which uses this active light sensitive or radiation sensitive resin composition; a pattern forming method; and a method for producing an electronic device. An active light sensitive or radiation sensitive resin composition according to the present invention is a negative composition that is used for the formation of a pattern having a film thickness of 1 μm or more, and contains at least one acid generator which is selected from the group consisting of compounds represented by general formula (ZI-3) and compounds represented by general formula (ZI-4), a crosslinking agent, a resin which contains a reactive group that is reactive with the crosslinking agent, and at least one resin which is selected from the group consisting of resins having a structure wherein a reactive group is protected by a leaving group that is decomposed and separated by the action of an acid.
(FR) L'invention concerne une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement qui permet la formation d'un motif ayant d'excellentes caractéristiques de résolution et de forme même si elle est utilisée dans des applications sur film épais. L'invention concerne également : un film de réserve qui utilise cette composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement ; un procédé de formation de motif ; et un procédé de production d'un dispositif électronique. Selon la présente invention, une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement est une composition négative qui est utilisée pour la formation d'un motif ayant une épaisseur de film de 1 µm ou plus et qui contient au moins un générateur d'acide qui est choisi parmi le groupe constitué de composés représentés par la formule générale (ZI-3) et de composés représentés par la formule générale (ZI-4), un agent de réticulation, une résine qui contient un groupe réactif qui est réactif avec l'agent de réticulation, et au moins une résine qui est choisie parmi le groupe constitué par des résines ayant une structure dans laquelle un groupe réactif est protégé par un groupe partant qui est décomposé et séparé par l'action d'un acide.
(JA) 厚膜用途に適用した際にも、形成されるパターンの解像性及び形状特性に優れる、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。また、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、膜厚が1μm以上のパターンの形成に用いられる、ネガ型の組成物であって、一般式(ZI-3)で表される化合物及び一般式(ZI-4)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸発生剤と、架橋剤と、架橋剤と反応可能な反応基を含む樹脂、及び、反応基が酸の作用により分解して脱離する脱離基で保護された構造を含む樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)