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1. (WO2019044464) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2019/044464 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030106
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
H04N 5/359 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
357
Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
359
appliqué aux porteurs de charge en excès générés par l'exposition, p.ex. bavure, tache, image fantôme, diaphonie ou fuite entre les pixels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
渡部 泰一郎 WATANABE, Taiichiro; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI, Tetsuji; JP
佐藤 友亮 SATO, Yusuke; JP
古閑 史彦 KOGA, Fumihiko; JP
Mandataire :
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2017-16785231.08.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の制御方法
Abrégé :
(EN) [Solution] A solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure is provided with: a first electrode comprising a plurality of independent electrodes; a second electrode arranged opposite to the first electrode; a photoelectric conversion layer provided between the first electrode and the second electrode; and a voltage applying unit for applying different voltages to at least one of the first electrode and the second electrode during a charge storage period and during a non-charge storage period.
(FR) À cet effet, selon un mode de réalisation la présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend : une première électrode comprenant une pluralité d'électrodes indépendantes ; une seconde électrode agencée à l'opposé de la première électrode ; une couche de conversion photoélectrique disposée entre la première électrode et la seconde électrode ; et une unité d'application de tension pour appliquer différentes tensions à au moins une parmi la première électrode et la seconde électrode pendant une période de stockage de charge et pendant une période de stockage de non-charge.
(JA) 【解決手段】本開示の一実施形態の固体撮像装置は、互いに独立する複数の電極からなる第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換層と、第1電極および第2電極の少なくとも一方に対して、電荷蓄積期間および非電荷蓄積期間において、互いに異なる電圧を印加する電圧印加部とを備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)