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1. (WO2019044448) COMPOSÉ ALCOXYDE MÉTALLIQUE, MATIÈRE PREMIÈRE DE FORMATION DE FILM MINCE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE
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N° de publication : WO/2019/044448 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029923
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 09.08.2018
CIB :
C07F 5/00 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
5
Composés contenant des éléments du 3ème groupe de la classification périodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06
caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
18
à partir de composés organométalliques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
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pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
Déposants :
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Inventeurs :
岡田 奈奈 OKADA, Nana; JP
畑▲瀬▼ 雅子 HATASE, Masako; JP
西田 章浩 NISHIDA, Akihiro; JP
桜井 淳 SAKURAI, Atsushi; JP
Mandataire :
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16523530.08.2017JP
Titre (EN) METAL ALKOXIDE COMPOUND, THIN-FILM-FORMING RAW MATERIAL, AND THIN FILM PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSÉ ALCOXYDE MÉTALLIQUE, MATIÈRE PREMIÈRE DE FORMATION DE FILM MINCE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE
(JA) 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a metal alkoxide compound represented by general formula (1), a thin-film-forming raw material comprising this compound, and a thin film production method using this raw material to form a thin film containing a metal. [Chem. 1] (where: R1 represents a hydrogen atom or an alkyl group containing 1 to 4 carbon atoms; R2 represents an isopropyl group, a secondary butyl group, a tertiary butyl group, a secondary pentyl, a 1-ethylpropyl group, or a tertiary pentyl group; R3 represents a hydrogen or an alkyl group containing 1 to 4 carbon atoms; R4 represents an alkyl group containing 1 to 4 carbon atoms; M represents a scandium atom, an yttrium atom, a lanthanum atom, a cerium atom, a praseodymium atom, a neodymium atom, a promethium atom, a samarium atom, an europium atom, a gadolinium atom, a terbium atom, a dysprosium atom, a holmium atom, an erbium atom, a thulium atom, an ytterbium atom, or a lutetium atom; and n represents the valence of the atom represented by M; with the proviso that, if M represents a lanthanum atom, R2 represents a secondary butyl group, a tertiary butyl group, a secondary pentyl, a 1-ethylpropyl group, or a tertiary pentyl group.)
(FR) La présente invention concerne un composé alcoxyde métallique représenté par la formule générale (1), une matière première de formation de film mince comprenant ce composé, et un procédé de production de film mince utilisant cette matière première pour former un film mince contenant un métal. [Formule chimique 1] (où : R1 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone; R2 représente un groupe isopropyle, un groupe butyle secondaire, un groupe butyle tertiaire, un pentyle secondaire, un groupe 1-éthylpropyle, ou un groupe pentyle tertiaire; R3 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone; R4 représente un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone; M représente un atome de scandium, un atome d'yttrium, un atome de lanthane, un atome de cérium, un atome de praséodyme, un atome de néodyme, un atome de prométhium, un atome de samarium, un atome d'europium, un atome de gadolinium, un atome de terbium, un atome de dysprosium, un atome d'holmium, un atome d'erbium, un atome de thulium, un atome d'ytterbium ou un atome de lutécium; et n représente la valence de l'atome représenté par M; à condition que, si M représente un atome de lanthane, R2 représente un groupe butyle secondaire, un groupe butyle tertiaire, un pentyle secondaire, un groupe 1-éthylpropyle, ou un groupe pentyle tertiaire.)
(JA) 本発明は、下記一般式(1)で表される金属アルコキシド化合物、これを含有してなる薄膜形成用原料、および該原料を用いて金属を含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法を提供することにある: 【化1】 (式中、R1は、水素原子または炭素原子数1~4のアルキル基を表し、R2は、イソプロピル基、第2ブチル基、第3ブチル基、第2ペンチル、1-エチルプロピル基または第3ペンチル基を表し、R3は、水素または炭素原子数1~4のアルキル基を表し、R4は、炭素原子数1~4のアルキル基を表し、Mは、スカンジウム原子、イットリウム原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原子、プロメチウム原子、サマリウム原子、ユウロピウム原子、ガドリニウム原子、テルビウム原子、ジスプロシウム原子、ホルミウム原子、エルビウム原子、ツリウム原子、イッテルビウム原子またはルテチウム原子を表し、nは、Mで表される原子の価数を表す。ただし、Mがランタン原子である場合、R2は第2ブチル基、第3ブチル基、第2ペンチル、1-エチルプロピル基または第3ペンチル基である。)
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)