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1. (WO2019044440) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
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N° de publication : WO/2019/044440 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029783
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 08.08.2018
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
42
Siliciures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Déposants :
株式会社ニューフレアテクノロジー NUFLARE TECHNOLOGY, INC. [JP/JP]; 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番1 8-1, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522, JP
Inventeurs :
醍醐 佳明 DAIGO Yoshiaki; JP
石黒 暁夫 ISHIGURO Akio; JP
伊藤 英樹 ITO Hideki; JP
Mandataire :
池上 徹真 IKEGAMI, Tetsuma; JP
須藤 章 SUDO, Akira; JP
高下 雅弘 TAKASHITA, Masahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16850801.09.2017JP
Titre (EN) VAPOR-PHASE GROWTH DEVICE AND VAPOR-PHASE GROWTH METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長装置、及び、気相成長方法
Abrégé :
(EN) A vapor-phase growth device of an embodiment comprises: a reaction chamber; a substrate holder that is provided inside the reaction chamber, and on which a substrate can be placed, the substrate holder having a holding wall that is capable of holding the outer periphery of the substrate while leaving a designated gap; a process gas supply part that has a first region, which is provided above the reaction chamber and in which a first process gas can be supplied to the reaction chamber, and a second region, which is provided around the first region, and in which a second process gas having a higher carbon/silicon atomic ratio than the first process gas can be supplied to the reaction chamber, the inner-periphery diameter of the second region being 75 to 130% (inclusive) of the diameter of the holding wall; a side wall provided inside the reaction chamber in a region between the process gas supply part and the substrate holder, and in which the inner-periphery diameter is 110 to 200% (inclusive) of the outer-periphery diameter of the second region; a first heater provided below the substrate holder; a second heater provided between the side wall and the inner wall of the reaction chamber; and a rotary drive mechanism that causes the substrate holder to rotate.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif de croissance en phase vapeur comprend : une chambre de réaction ; un support de substrat qui est disposé à l'intérieur de la chambre de réaction, et sur lequel un substrat peut être placé, le support de substrat ayant une paroi de maintien qui permet de maintenir la périphérie externe du substrat tout en laissant un espace désigné ; une partie de fourniture de gaz de traitement qui a une première région, qui est disposée au-dessus de la chambre de réaction et dans laquelle un premier gaz de traitement peut être fourni à la chambre de réaction, et une seconde région, qui est disposée autour de la première région, et dans laquelle un second gaz de traitement ayant un rapport atomique carbone/silicium plus élevé que le premier gaz de traitement peut être fourni à la chambre de réaction, le diamètre de périphérie interne de la seconde région représentant de 75 à 130 % (inclus) du diamètre de la paroi de maintien ; une paroi latérale disposée à l'intérieur de la chambre de réaction dans une région entre la partie de fourniture de gaz de traitement et le support de substrat, et dans laquelle le diamètre de périphérie interne représente de 110 à 200 % (inclus) du diamètre de périphérie externe de la seconde région ; un premier dispositif de chauffage disposé en dessous du support de substrat ; un second dispositif de chauffage disposé entre la paroi latérale et la paroi interne de la chambre de réaction ; et un mécanisme d'entraînement rotatif qui amène le support de substrat à tourner.
(JA) 実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室の中に設けられ、基板が載置可能であり、基板の外周を所定の間隙を有して保持可能な保持壁を有する基板保持部と、反応室の上に設けられ、第1のプロセスガスを反応室に供給可能な第1の領域と、第1の領域の周囲に設けられ第1のプロセスガスよりも炭素/シリコン原子比の高い第2のプロセスガスを反応室に供給可能な第2の領域とを有し、第2の領域の内周直径が保持壁の直径の75%以上130%以下であるプロセスガス供給部と、反応室の中の、プロセスガス供給部と基板保持部との間の領域に設けられ、内周直径が第2の領域の外周直径の110%以上200%以下である側壁と、基板保持部の下に設けられた第1のヒータと、側壁と反応室の内壁との間に設けられた第2のヒータと、基板保持部を回転させる回転駆動機構と、を備える。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)