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1. (WO2019044412) FILM SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P CONTENANT UN HÉTÉROFULLERÈNE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/044412 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029502
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 07.08.2018
CIB :
H01L 51/30 (2006.01) ,C01B 32/156 (2017.01) ,C01B 32/90 (2017.01) ,C01B 32/991 (2017.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
[IPC code unknown for C01B 32/156][IPC code unknown for C01B 32/90][IPC code unknown for C01B 32/991]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
松澤 伸行 MATSUZAWA Nobuyuki; --
笹子 勝 SASAGO Masaru; --
中 順一 NAKA Jun'ichi; --
Mandataire :
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16784631.08.2017JP
Titre (EN) P-TYPE SEMICONDUCTOR FILM CONTAINING HETEROFULLERENE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) FILM SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P CONTENANT UN HÉTÉROFULLERÈNE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) ヘテロフラーレンを含むp型半導体膜および電子デバイス
Abrégé :
(EN) Provided is a p-type semiconductor film containing heterofullerene, and having a more satisfactorily level of hole mobility. The p-type semiconductor film contains heterofullerene in which the n+r (where n and r are both positive odd numbers) carbon atoms that constitute fullerene are substituted with n boron atoms and r nitrogen atoms.
(FR) L'invention concerne un film semi-conducteur de type p contenant un hétérofullerène, et présentant un niveau de mobilité des trous plus satisfaisant. Le film semi-conducteur de type p contient un hétérofullerène dans lequel les atomes de carbone n+r (n et r étant tous deux des nombres impairs positifs) qui constituent le fullerène sont substitués par n atomes de bore et r atomes d'azote.
(JA) 正孔移動度がより十分に高いヘテロフラーレンを含むp型半導体膜を提供する。p型半導体膜は、フラーレンを構成する炭素原子のうちn+r(個)(nおよびrはともに正の奇数)の炭素原子をn個のホウ素原子およびr個の窒素原子で置換したヘテロフラーレンを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)