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1. (WO2019044355) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/044355 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029031
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 02.08.2018
CIB :
H01S 5/343 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34
comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique (lasers SQW), lasers à plusieurs puits quantiques (lasers MQW), lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif (lasers GRINSCH)
343
dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
40
Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
Déposants :
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
Inventeurs :
能崎 信一郎 NOZAKI, Shinichiro; --
片山 琢磨 KATAYAMA, Takuma; --
Mandataire :
新居 広守 NII, Hiromori; JP
寺谷 英作 TERATANI, Eisaku; JP
道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16542230.08.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé :
(EN) A semiconductor light-emitting element (100) including an n-type clad layer (102) comprising a nitride semiconductor, an active layer (103) disposed above the n-type clad layer (102) and comprising a nitride semiconductor, a p-type clad layer (104) disposed above the active layer (103) and comprising a nitride semiconductor, and a p-side electrode (107) disposed above the p-type clad layer (104), wherein the p-type clad layer contains hydrogen, and the center of the p-type clad layer in a downward region from the p-side electrode has a first concentration of the hydrogen lower than a second concentration of the hydrogen at positions in the downward region further to the external edges than the center.
(FR) Cette invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur (100) comprend une couche de revêtement de type n (102) comprenant un semi-conducteur au nitrure, une couche active (103) disposée au-dessus de la couche de revêtement de type n (102) et comprenant un semi-conducteur au nitrure, une couche de revêtement de type p (104) disposée au-dessus de la couche active (103) et comprenant un semi-conducteur au nitrure, et une électrode côté p (107) disposée au-dessus de la couche de revêtement de type p (104), la couche de revêtement de type p contenant de l'hydrogène, et le centre de la couche de revêtement de type p dans une région vers le bas par rapport à l'électrode côté p a une première concentration en hydrogène inférieure à une seconde concentration en hydrogène à des positions dans la région vers le bas plus proches des bords externes que du centre.
(JA) 半導体発光素子(100)は、窒化物半導体からなるn型クラッド層(102)と、n型クラッド層(102)の上方に配置され、窒化物半導体からなる活性層(103)と、活性層(103)の上方に配置され、窒化物半導体からなるp型クラッド層(104)と、p型クラッド層(104)の上方に配置されるp側電極(107)と、を備え、前記p型クラッド層は、水素を含有し、前記p側電極の下方領域における前記p型クラッド層の中央での前記水素の第1濃度は、前記下方領域における前記中央より外縁側の位置での前記水素の第2濃度より低い。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)