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1. (WO2019044303) DISPOSITIF DE RECUIT LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT LASER
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N° de publication : WO/2019/044303 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028149
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 26.07.2018
CIB :
H01L 21/268 (2006.01) ,G02B 3/00 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
3
Lentilles simples ou composées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
Inventeurs :
水村 通伸 MIZUMURA Michinobu; JP
Mandataire :
特許業務法人白坂 SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 新丸の内ビルディング10階EGG JAPAN EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
Données relatives à la priorité :
2017-16690131.08.2017JP
Titre (EN) LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT LASER
(JA) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
Abrégé :
(EN) The laser annealing device according to one embodiment of the present invention comprises a light source for generating laser light, a fly-eye lens for homogenizing the intensity of the laser light, a projection mask for masking the laser light that has passed through the fly-eye lens, and a projection lens for forming, from the laser light that has passed through the projection mask, a laser beam to be impinged in a predetermined range on a substrate. The laser annealing device is configured such that the array orientation of the fly-eye lens is rotated by a predetermined angle with respect to the array orientation of the mask pattern in the projection mask in order to suppress moiré patterns, which could be created when interference fringes generated from the laser light passing through the fly-eye lens pass through the projection mask.
(FR) Selon un mode de réalisation, cette invention concerne un dispositif de recuit laser, comprenant une source de lumière pour générer une lumière laser, une lentille à facettes multiples pour homogénéiser l'intensité de la lumière laser, un masque de projection pour masquer la lumière laser qui a traversé la lentille à facettes multiples, et une lentille de projection pour former, à partir de la lumière laser qui a traversé le masque de projection, un faisceau laser à appliquer sur une portée prédéterminée sur un substrat. Le dispositif de recuit laser est configuré de telle sorte que l'orientation de réseau de la lentille à facettes multiples est pivotée à un angle prédéterminé par rapport à l'orientation de réseau du motif de masque dans le masque de projection afin de supprimer les motifs de moiré, qui pourraient être créées lorsque des franges d'interférence générées par la lumière laser traversant la lentille à facettes multiples passent à travers le masque de projection.
(JA) 本発明の一態様に係るレーザアニール装置は、レーザ光を発生させる光源と、レーザ光の強度分布を均一にするためのフライアイレンズと、フライアイレンズを通過したレーザ光をマスキングする投影マスクと、投影マスクを通過したレーザ光から基板の所定の範囲に照射するレーザービームを形成する投影レンズと、を備え、レーザ光がフライアイレンズを通過することによって発生する干渉縞が投影マスクを通過することによって発生し得るモアレを抑制するために、フライアイレンズの配列方向を投影マスクのマスクパターンの配列方向に対して所定角度だけ回転させて構成されている。
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Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)