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1. (WO2019044285) FILM MINCE D'ALLIAGE D'ALUMINIUM, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET CIBLE DE PULVÉRISATION
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N° de publication : WO/2019/044285 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/027750
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 24.07.2018
CIB :
C23C 14/14 (2006.01) ,C22C 21/00 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/24 (2006.01) ,H05B 33/26 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
14
Matériau métallique, bore ou silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
21
Alliages à base d'aluminium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
22
caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
24
des couches réfléchissantes métalliques
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
26
caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode
Déposants :
株式会社コベルコ科研 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通一丁目5番1号 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073, JP
Inventeurs :
▲吉▼田 慎太郎 YOSHIDA Shintaro; --
奥野 博行 OKUNO Hiroyuki; --
Mandataire :
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16330128.08.2017JP
Titre (EN) Al ALLOY THIN FILM, LIGHT EMITTING ELEMENT AND SPUTTERING TARGET
(FR) FILM MINCE D'ALLIAGE D'ALUMINIUM, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) Al合金薄膜、発光素子及びスパッタリングターゲット
Abrégé :
(EN) An Al alloy thin film according to one embodiment of the present invention is directly or indirectly laminated on a substrate that has a refractive index of from 1.5 to 2.0 (inclusive) and has an average film thickness of from 50 nm to 2,000 nm (inclusive), while containing a rare earth element. This Al alloy thin film is configured such that: the maximum crystal grain size of intermetallic compounds of the rare earth element is 300 nm or less, said intermetallic compounds being present in a region that is within ± 20% of the thickness of the Al alloy thin film using the center in the thickness direction as a base line; the intermetallic compounds are present in a dispersed state, with the distance between adjacent intermetallic compounds being 2,000 nm or less; and the reflectance from the substrate side is 60% or more.
(FR) Film mince d'alliage d'aluminium qui est, selon un mode de réalisation de la présente invention, stratifié directement ou indirectement sur un substrat qui a un indice de réfraction de 1,5 à 2,0 (inclus) et une épaisseur moyenne de film de 50 nm à 2 000 nm (inclus), tout en contenant un élément de terre rare. Ce film mince d'alliage d'aluminium est configuré de telle sorte que : la taille de grain cristallin maximale de composés intermétalliques de l'élément de terre rare est inférieure ou égale à 300 nm, lesdits composés intermétalliques étant présents dans une région située dans ± 20 % de l'épaisseur du film mince d'alliage d'aluminium en utilisant le centre dans la direction de l'épaisseur en tant que ligne de base; les composés intermétalliques sont présents dans un état dispersé, la distance entre des composés intermétalliques adjacents étant de 2 000 nm ou moins; et la réflectance depuis le côté substrat étant supérieure ou égale à 60 %.
(JA) 本発明の一態様に係るAl合金薄膜は、屈折率が1.5以上2.0以下である基板に直接又は間接的に積層され、平均膜厚が50nm以上2000nm以下で希土類元素を含むAl合金薄膜であって、上記Al合金薄膜の厚み方向の中心を基準として厚みの±20%以内の領域に存在する上記希土類元素の金属間化合物の最大結晶粒径が300nm以下、かつ隣接する上記金属間化合物が2000nm以下の距離で分散状態で存在し、上記基板側からの反射率が60%以上である。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)