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1. (WO2019044246) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/044246 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/027111
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 19.07.2018
CIB :
H01L 27/148 (2006.01) ,H04N 5/372 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
148
Capteurs d'images à couplage de charge
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
372
Capteurs à dispositif à couplage de charge [CCD]; Registres d'intégration à temps de retard [TDI] ou registres à décalage spécialement adaptés au capteur SSIS
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
▲高▼木 慎一郎 TAKAGI Shin-ichiro; JP
間瀬 光人 MASE Mitsuhito; JP
平光 純 HIRAMITSU Jun; JP
米田 康人 YONETA Yasuhito; JP
村松 雅治 MURAMATSU Masaharu; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16946604.09.2017JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abrégé :
(EN) A photosensitive region includes: a first impurities region; and a second impurities region having a higher impurities concentration than the first impurities region. The photosensitive region has: one end positioned away from a transfer unit, in a second direction; and another end positioned closer to the transfer unit in the second direction. The shape of the second impurities region in the planar view is linearly symmetrical to a center line of the photosensitive region along the second direction. The width of the second impurities region in a first direction increases in the transfer direction from the one end towards the other end. The rate of increase in the width of the second impurities region, in each segment obtained by dividing the photosensitive region into n segments in the second direction, gradually increases in the transfer direction. n is an integer of at least 2.
(FR) La présente invention concerne une région photosensible comprenant : une première région d'impuretés ; et une seconde région d'impuretés ayant une concentration d'impuretés plus élevée que la première région d'impuretés. La région photosensible a : une extrémité positionnée à l'opposé d'une unité de transfert, dans une seconde direction ; et une autre extrémité positionnée plus près de l'unité de transfert dans la seconde direction. La forme de la seconde région d'impuretés dans la vue plane est linéairement symétrique par rapport à une ligne centrale de la région photosensible le long de la seconde direction. La largeur de la seconde région d'impuretés dans une première direction augmente dans la direction de transfert depuis l'extrémité vers l'autre extrémité. La vitesse d'augmentation de la largeur de la seconde région d'impuretés, dans chaque segment obtenu en divisant la région photosensible en n segments dans la seconde direction, augmente progressivement dans la direction de transfert, n étant un nombre entier supérieur ou égal à 2.
(JA) 光感応領域は、第一不純物領域と、第一不純物領域に比して不純物濃度が高い第二不純物領域と、を含んでいる。光感応領域は、第二方向で転送部から離れて位置している一端と、第二方向で転送部寄りに位置している他端と、を有している。第二不純物領域の平面視での形状は、第二方向に沿った光感応領域の中心線に対して線対称である。第二不純物領域の第一方向での幅は、一端から他端に向かう転送方向で増加している。光感応領域を第二方向にn分割した各区間における第二不純物領域の幅の増加率は、転送方向で次第に大きくなっている。nは、2以上の整数である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)