Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019044177) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/044177 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/025813
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 09.07.2018
CIB :
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
久保木 誉 KUBOKI Takashi; JP
河原 敬二 KAWAHARA Keiji; JP
金野 雄志 KONNO Takeshi; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16499430.08.2017JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パワー半導体装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention addresses the problem of improving the productivity of a power semiconductor device while suppressing deterioration of the heat dissipation performance thereof. A manufacturing method of a power semiconductor device according to the present invention is a manufacturing method of a power semiconductor device which is provided with a conductive member having a first surface and a second surface that is provided on a side opposite to the first surface, and a power semiconductor element connected to the conductive member through a bonding material. This manufacturing method is provided with: a first step for pressing the conductor member so as to form a convex portion on the second surface by pressing a portion of the first surface while leaving a portion that is flush with the first surface to form a concave portion; a second step for disposing the power semiconductor element on the top surface of the convex portion so as to face the concave portion of the first surface and the portion on which the concave portion is not formed, and for joining the convex portion and the power semiconductor element through the bonding material; and a third step for filling at least the concave portion with a sealing material.
(FR) La présente invention aborde le problème d'amélioration de la productivité d'un dispositif semi-conducteur de puissance tout en éliminant la détérioration de sa performance de dissipation thermique. Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de puissance selon la présente invention est un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de puissance qui est pourvu d'un élément conducteur présentant une première surface et une seconde surface située sur un côté opposé à la première surface, et d'un élément semi-conducteur de puissance connecté à l'élément conducteur par l'intermédiaire d'un matériau de liaison. Ce procédé de fabrication comprend : une première étape consistant à presser l'élément conducteur de manière à former une partie convexe sur la seconde surface par pression d'une partie de la première surface tout en épargnant une partie qui affleure la première surface de façon à former une partie concave ; une deuxième étape consistant à disposer l'élément semi-conducteur de puissance sur la surface supérieure de la partie convexe de façon à faire face à la partie concave de la première surface et à la partie sur laquelle la partie concave n'est pas formée, et à relier la partie convexe et l'élément semi-conducteur de puissance par l'intermédiaire du matériau de liaison ; et une troisième étape consistant à remplir au moins la partie concave d'un matériau d'étanchéité.
(JA) 本発明の課題は、パワー半導体装置の放熱性能の低下を抑制しながら生産性を向上させることである。 本発明に係るパワー半導体装置の製造方法は、第1面及び当該第1面とは反対側に設けられる第2面を有する導電部材と、接合材を介して前記導電部材と接続されるパワー半導体素子と、を備えるパワー半導体装置の製造方法であって、前記第1面の一部を押圧して当該第1面と面一となる部分を残して凹部を形成させ、前記第2面に凸部を形成させるように当該導体部材をプレスさせる第1工程と、前記パワー半導体素子を前記凸部の頂面であって前記第1面の前記凹部及び当該凹部が形成されていない部分と対向するように配置し、前記接合材を介して当該凸部と前記パワー半導体素子を接続する第2工程と、前記少なくとも前記凹部に封止材を充填する第3工程と、を備える。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)