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1. (WO2019044173) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/044173 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/025731
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 06.07.2018
CIB :
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 33/12 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
12
ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
Déposants :
東芝マテリアル株式会社 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2350032, JP
学校法人 名城大学 MEIJO UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区塩釜口一丁目501番地 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4688502, JP
Inventeurs :
平松 亮介 HIRAMATSU, Ryosuke; JP
佐々木 敦也 SASAKI, Atsuya; JP
平林 英明 HIRABAYASHI, Hideaki; JP
上山 智 KAMIYAMA, Satoshi; JP
Mandataire :
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko; JP
小崎 純一 KOZAKI, Junichi; JP
市川 浩 ICHIKAWA, Hiroshi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16713131.08.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子およびその製造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor light-emitting element according to one embodiment has a light emission peak wavelength of 380nm to 425nm. The semiconductor light-emitting element has a layered structure which includes a reflective layer, a substrate provided on the reflective layer, and a semiconductor layer provided on the substrate. A surface of the substrate on the semiconductor layer side has a relief structure. The semiconductor layer has a buffer layer made of aluminum nitride with a thickness of 10 nm to 100 nm. The buffer layer is characterized by containing oxygen and satisfying 0.01 ≤ O8nm/O3nm ≤ 0.5 where O3nm (at%) is the oxygen concentration at a depth of 3 nm in the buffer layer and O8nm (at%) is the oxygen concentration at a depth of 8 nm.
(FR) Un élément électroluminescent à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention a une longueur d'onde de crête d'émission de lumière de 380 nm à 425 nm. L'élément électroluminescent à semi-conducteur a une structure stratifiée qui comprend une couche réfléchissante, un substrat disposé sur la couche réfléchissante, et une couche semi-conductrice disposée sur le substrat. Une surface du substrat sur le côté de la couche semi-conductrice a une structure en relief. La couche semi-conductrice comporte une couche tampon en nitrure d'aluminium d'une épaisseur de 10 nm à 100 nm. La couche tampon est caractérisée en ce qu'elle contient de l'oxygène et satisfait 0,01 ≤ O8nm/O3nm ≤ 0,5 où O3nm (at%) est la concentration en oxygène à une profondeur de 3 nm dans la couche tampon et O8nm (at%) est la concentration en oxygène à une profondeur de 8 nm.
(JA) 実施形態に係る半導体発光素子は、発光ピーク波長が380nm以上425nm以下である。前記半導体発光素子は、反射層と、前記反射層の上に設けられた基板と、前記基板の上に設けられた半導体層と、を含む積層構造を具備する。前記基板の前記半導体層側の表面には、凹凸構造が設けられる。前記半導体層は、厚さ10nm以上100nm以下の窒化アルミニウムからなるバッファ層を有する。前記バッファ層は酸素を含有し、前記バッファ層の深さ3nmにおける酸素濃度をO3nm(at%)とし、深さ8nmにおける酸素濃度をO8nm(at%)としたとき、0.01≦O8nm/O3nm≦0.5であることを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)