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1. (WO2019044142) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2019/044142 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024353
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 27.06.2018
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,B28D 5/04 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38
Nitrures
[IPC code unknown for B23K 26/53]
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
28
TRAVAIL DU CIMENT, DE L'ARGILE OU DE LA PIERRE
D
TRAVAIL DE LA PIERRE OU DES MATÉRIAUX SEMBLABLES À LA PIERRE
5
Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
04
par outils autres que ceux du type rotatif, p.ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
02
Traitement thermique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
国立大学法人名古屋大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市千種区不老町1番 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601, JP
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
田中 敦之 TANAKA Atsushi; JP
河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke; JP
Mandataire :
特許業務法人 快友国際特許事務所 KAI-U PATENT LAW FIRM; 愛知県名古屋市西区牛島町6番1号 名古屋ルーセントタワー9階 NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009, JP
Données relatives à la priorité :
2017-16856901.09.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT
(JA) 基板製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a technique relating to a method for manufacturing a substrate. This method for manufacturing a substrate includes an irradiation step of irradiating the inside of a gallium nitride (GaN) ingot with laser light from a direction substantially perpendicular to the surface of the ingot to form a modified layer which has gallium deposited thereon and is substantially parallel to the ingot surface. The method for manufacturing a substrate includes a separation step of separating the ingots from each other along the boundary consisting of the position at which the modified layer was formed by dissolving the modified layer.
(FR) L'invention concerne une technique se rapportant à un procédé de fabrication d'un substrat. Ledit procédé de fabrication d'un substrat comprend une étape d'exposition à un rayonnement consistant à exposer l'intérieur d'un lingot de nitrure de gallium (GaN) à une lumière laser depuis une direction sensiblement perpendiculaire à la surface du lingot pour former une couche modifiée sur laquelle est déposé du gallium et qui est sensiblement parallèle à la surface du lingot. Le procédé de fabrication d'un substrat comprend une étape de séparation consistant à séparer les lingots les uns des autres, le long de la limite constituée par la position au niveau de laquelle la couche modifiée a été formée, par dissolution de la couche modifiée.
(JA) 基板製造方法に関する技術を提供する。基板製造方法は、窒化ガリウム(GaN)のインゴットの表面に略垂直な方向からインゴットの内部にレーザ光を照射し、ガリウムが析出した改質層であってインゴット表面に略平行な改質層を形成する照射工程を備える。基板製造方法は、改質層を溶解することで、改質層が形成されていた位置を境界として、インゴットを互いに分離する分離工程を備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)