Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019044129) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/044129 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/023470
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 20.06.2018
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,B08B 3/10 (2006.01) ,B08B 5/00 (2006.01) ,B08B 7/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08
NETTOYAGE
B
NETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3
Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
04
Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
10
avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p.ex. par la chaleur, par l'électricité, par des vibrations
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08
NETTOYAGE
B
NETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
5
Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation d'un courant d'air ou de gaz
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08
NETTOYAGE
B
NETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
7
Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
上田 大 UEDA Dai; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16919504.09.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Abrégé :
(EN) When a cooling nozzle is in an operating state of discharging cooling gas to a substrate, by a first shutter opening a discharge port, and a second shutter blocking a leak opening, the cooling gas sent to the cooling nozzle is discharged from the discharge port. On the other hand, when the cooling nozzle is in a standby state, by the first shutter blocking the discharge port, and the second shutter opening the leak opening, the cooling gas sent to the cooling nozzle is emitted from the leak opening. When in the standby state, the cooling gas is emitted only from the leak opening that is different from the discharge port, so it is possible to prevent adhesion of frost to the discharge port of the cooling nozzle.
(FR) Lorsqu’une buse de refroidissement est en mode de fonctionnement pour éjecter un gaz de refroidissement vers un substrat, l’ouverture d’un orifice d’éjection par un premier obturateur et le blocage d’une ouverture de fuite par un deuxième obturateur permettent l’éjection du gaz de refroidissement envoyé à la buse de refroidissement par l’orifice d’éjection. En revanche, lorsque la buse de refroidissement est en mode de veille, le blocage de l’orifice d’éjection par le premier obturateur et l’ouverture de l’ouverture de fuite par le deuxième obturateur permettent l’éjection du gaz de refroidissement envoyé à la buse de refroidissement par l’ouverture de fuite. En mode de veille, le gaz de refroidissement est émis uniquement par l’ouverture de fuite, distincte de l’orifice d’éjection, ce qui permet d’éviter l’adhérence de givre à l’orifice d’éjection de la buse de refroidissement.
(JA) 冷却ノズルが基板に冷却ガスを吐出する動作状態のときには、第1シャッターが吐出口を開放するとともに、第2シャッターがリーク開口を閉塞することにより、冷却ノズルに送給された冷却ガスは吐出口から吐出される。一方、冷却ノズルが待機状態のときには、第1シャッターが吐出口を閉塞するとともに、第2シャッターがリーク開口を開放することにより、冷却ノズルに送給された冷却ガスはリーク開口から放出される。待機状態のときには、吐出口とは異なるリーク開口のみから冷却ガスを放出しているため、冷却ノズルの吐出口への霜の付着を防止することができる。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)