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1. (WO2019044103) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/044103 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/022008
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H01L 27/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
30
avec des composants spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
河合 信宏 KAWAI Nobuhiro; JP
富樫 秀晃 TOGASHI Hideaki; JP
古閑 史彦 KOGA Fumihiko; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI Tetsuji; JP
平田 晋太郎 HIRATA Shintarou; JP
渡部 泰一郎 WATANABE Taiichiro; JP
安藤 良洋 ANDO Yoshihiro; JP
Mandataire :
山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa; JP
吉井 正明 YOSHII Masaaki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16758631.08.2017JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT, LAMINATED IMAGING ELEMENT, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
Abrégé :
(EN) According to the present invention, a solid-state imaging element is provided with a pixel having: a first imaging element; a second imaging element; a third imaging element; and an on-chip micro-lens 90, wherein the first imaging element includes a first electrode 11, a third electrode 12, and a second electrode 16. The pixel is further provided with: a third electrode control line VOA that is connected to the third electrode 12; and a plurality of control lines 62B which are respectively connected to various transistors provided in the second imaging element and the third imaging element, and which are different from the third electrode control line VOA. In the pixel, the distance between the center of the on-chip micro-lens 90 provided to the pixel and one of the plurality of control lines 62B provided in the pixel is shorter than the distance between the center of the on-chip micro-lens 90 provided to the pixel and the third electrode control line VOA provided to the pixel.
(FR) Selon la présente invention, un élément d'imagerie à semi-conducteur comprend un pixel ayant : un premier élément d'imagerie ; un second élément d'imagerie ; un troisième élément d'imagerie ; et une microlentille sur puce 90, le premier élément d'imagerie comprenant une première électrode 11, une troisième électrode 12, et une seconde électrode 16. Le pixel comprend en outre : une troisième ligne de commande d'électrode VOA qui est connectée à la troisième électrode 12 ; et une pluralité de lignes de commande 62B qui sont respectivement connectées à divers transistors fournis dans le second élément d'imagerie et le troisième élément d'imagerie, et qui sont différentes de la troisième ligne de commande d'électrode VOA. Dans le pixel, la distance entre le centre de la micro-lentille sur puce 90 fournie au pixel et l'une de la pluralité de lignes de commande 62B fournie au pixel est plus courte que la distance entre le centre de la micro-lentille sur puce 90 fournie au pixel et la troisième ligne de commande d'électrode VOA fournie au pixel.
(JA) 固体撮像素子は、第1撮像素子と第2撮像素子と第3撮像素子とオンチップ・マイクロ・レンズ90とを備えた画素を有し、第1撮像素子は第1電極11と第3電極12と第2電極16とを備え、画素は、第3電極12に接続した第3電極制御線VOAと、第2撮像素子及び第3撮像素子に備えられた各種トランジスタのそれぞれに接続され、第3電極制御線VOAとは異なる複数本の制御線62Bとを更に備え、画素は、画素に備わるオンチップ・マイクロ・レンズ90の中心と、該画素に備わる前記複数本の制御線62Bのいずれかとの間の距離が、該画素に備わるオンチップ・マイクロ・レンズ90の中心と該画素に備わる前記第3電極制御線VOAとの間の距離よりも小さい。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)