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1. (WO2019044061) DISPOSITIF DE COMMANDE DE MÉMOIRE POUR COMMANDER DYNAMIQUEMENT UNE TENSION D'ALIMENTATION DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2019/044061 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/019604
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 22.05.2018
CIB :
G06F 12/00 (2006.01) ,G11C 5/14 (2006.01) ,G11C 16/30 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
5
Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
14
Dispositions pour l'alimentation
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
30
Circuits d'alimentation
Déposants :
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
足立 直大 ADACHI, Naohiro; JP
山添 弘晃 YAMAZOE, Hiroaki; JP
石川 能久 ISHIKAWA, Yoshihisa; JP
Mandataire :
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16825001.09.2017JP
Titre (EN) MEMORY CONTROLLER FOR DYNAMICALLY CONTROLLING POWER-SUPPLY VOLTAGE OF MEMORY
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE DE MÉMOIRE POUR COMMANDER DYNAMIQUEMENT UNE TENSION D'ALIMENTATION DE MÉMOIRE
(JA) メモリの電源電圧を動的に制御するメモリコントローラ
Abrégé :
(EN) To perform power-supply voltage control suited to the internal state of a memory. This memory controller is provided with a memory interface and a control unit. The memory interface is an interface for connection to the memory. The control unit has a function for dynamically controlling the power-supply voltage of the memory in accordance with memory addresses. The memory and the memory controller constitute a memory system. A host computer issues a memory access command to the memory system.
(FR) La présente invention permet d'effectuer une commande de tension d'alimentation adaptée à l'état interne d'une mémoire. Ce dispositif de commande de mémoire est pourvu d'une interface de mémoire et d'une unité de commande. L'interface de mémoire est une interface pour la connexion à la mémoire. L'unité de commande a une fonction pour commander de manière dynamique la tension d'alimentation de la mémoire conformément à des adresses de mémoire. La mémoire et le dispositif de commande de mémoire constituent un système de mémoire. Un ordinateur hôte émet une commande d'accès à la mémoire au système de mémoire.
(JA) メモリの内部状態に適した電源電圧制御を行う。 メモリコントローラは、メモリインターフェースと、制御部とを備える。メモリインターフェースは、メモリに接続するためのインターフェースである。制御部は、メモリのアドレスに応じて、メモリの電源電圧を動的に制御する機能を有する。メモリおよびメモリコントローラは、メモリシステムを構成する。ホストコンピュータは、メモリシステムに対してメモリアクセスコマンドを発行する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)