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1. (WO2019043950) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION D’ÉNERGIE
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N° de publication : WO/2019/043950 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031807
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 04.09.2017
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
碓井 修 USUI, Osamu; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION D’ÉNERGIE
(JA) 半導体モジュール及び電力変換装置
Abrégé :
(EN) A semiconductor chip (2) has a surface electrode (3). An electrically conductive joining member (8) is provided above the surface electrode (3), and has first and second joining members (8a, 8b). A lead electrode (9) is joined to a portion of the surface electrode (3) with the first joining member (8a) interposed, and is not in contact with the second joining member (8b). A signal wire (11) is joined to the surface electrode (3). The second joining member (8b) is placed between the first joining member (8a) and the signal wire (11). The thickness of the first joining member (8a) is thicker than the thickness of the second joining member (8b).
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice (2) qui comporte une électrode de surface (3). Un élément de liaison électroconducteur (8) est disposé au-dessus de l'électrode de surface (3), et comporte des premier et second éléments de liaison (8a, 8b). Une électrode conductrice (9) est reliée à une partie de l'électrode de surface (3), le premier élément de liaison (8a) étant intercalé entre elles, et n'est pas en contact avec le second élément de liaison (8b). Un fil de signal (11) est relié à l'électrode de surface (3). Le second élément de liaison (8b) est placé entre le premier élément de liaison (8a) et le fil de signal (11). L'épaisseur du premier élément de liaison (8a) est supérieure à l'épaisseur du second élément de liaison (8b).
(JA) 半導体チップ(2)は表面電極(3)を有する。導電性接合部材(8)は表面電極(3)の上に設けられ、第1及び第2の接合部材(8a,8b)を有する。リード電極(9)は表面電極(3)の一部に第1の接合部材(8a)を介して接合され、第2の接合部材(8b)には接触していない。信号ワイヤ(11)が表面電極(3)に接合されている。第2の接合部材(8b)は第1の接合部材(8a)と信号ワイヤ(11)との間に配置されている。第1の接合部材(8a)の厚さは第2の接合部材(8b)の厚さよりも厚い。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)