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1. (WO2019043946) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
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N° de publication : WO/2019/043946 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031789
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 04.09.2017
CIB :
H01J 37/141 (2006.01) ,H01J 37/28 (2006.01) ,H01J 37/317 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02
Détails
04
Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
10
Lentilles
14
magnétiques
141
Lentilles électromagnétiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
26
Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions
28
avec faisceaux de balayage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30
Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317
pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
Déposants :
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
平野 遼 HIRANO Ryo; JP
野間口 恒典 NOMAGUCHI Tsunenori; JP
神谷 知里 KAMIYA Chisato; JP
片根 純一 KATANE Junichi; JP
Mandataire :
特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES; 東京都港区愛宕二丁目5-1 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides a charged particle beam device that can efficiently reduce the effects of a residual magnetic field when SEM observation is carried out. This charged particle beam device executes at least one of the following: a first mode in which after a first coil is turned OFF, DC current is flowed to a second coil; and a second mode in which after the first coil is turned OFF, AC current is flowed to a second coil.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées qui peut réduire efficacement les effets d'un champ magnétique résiduel lorsqu'une observation SEM est effectuée. Le dispositif à faisceau de particules chargées selon l'invention exécute un ou plusieurs des éléments suivants : un premier mode dans lequel après l'arrêt d'une première bobine, un courant continu est amené à s'écouler vers une deuxième bobine ; et un second mode dans lequel, après l'arrêt de la première bobine, un courant alternatif est amené à s'écouler vers une deuxième bobine.
(JA) 本発明は、SEM観察を実施したときの残留磁場の作用を効率的に減少させることができる荷電粒子線装置を提供するものである。本発明に係る荷電粒子線装置は、第1コイルをオフにした後に第2コイルに直流電流を流す第1モードと、前記第1コイルをオフにした後に前記第2コイルに交流電流を流す第2モードとの少なくともいずれかを実施する(図5参照)。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)