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1. (WO2019043945) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
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N° de publication : WO/2019/043945 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031788
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 04.09.2017
CIB :
H01J 37/141 (2006.01) ,H01J 37/317 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02
Détails
04
Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
10
Lentilles
14
magnétiques
141
Lentilles électromagnétiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30
Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317
pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
Déposants :
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
平野 遼 HIRANO Ryo; JP
野間口 恒典 NOMAGUCHI Tsunenori; JP
神谷 知里 KAMIYA Chisato; JP
片根 純一 KATANE Junichi; JP
Mandataire :
特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES; 東京都港区愛宕二丁目5-1 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
Abrégé :
(EN) The present invention achieves, with a simple configuration, a complex charged particle beam device that can reduce leakage magnet-field from a magnetic pole piece constituting an objective lens of a SEM. This charged particle beam device: acquires an ion-beam observation image while causing current to flow in a first coil constituting the objective lens; executes, for a plurality of current values, operations for reducing image displacement of the ion-beam image by causing current to flow in a second coil; and determines the current to be caused to flow in the second coil based on differences between the operations.
(FR) La présente invention permet d'obtenir, au moyen d'une configuration simple, un dispositif à faisceau de particules chargées complexe pouvant réduire le champ magnétique de fuite d'une pièce polaire magnétique constituant un objectif d'un MEB. Ce dispositif à faisceau de particules chargées : acquiert une image d'observation de faisceau d'ions tout en amenant un courant à circuler dans une première bobine constituant l'objectif ; exécute, pour une pluralité de valeurs de courant, des opérations de réduction de déplacement d'image de l'image de faisceau d'ions en amenant un courant à circuler dans une seconde bobine ; et détermine le courant devant être amené à circuler dans la seconde bobine en fonction de différences entre les opérations.
(JA) 本発明は、SEMの対物レンズを形成する磁極片からの漏れ磁場を抑制することができる複合荷電粒子線装置を、簡易な構造により実現するものである。本発明に係る荷電粒子線装置は、対物レンズを構成する第1コイルに電流を流しながらイオンビーム観察像を取得し、第2コイルに電流を流すことによりその像ずれを減少させる動作を、複数の電流値で実施し、前記動作間の差分に基づき前記第2コイルに流す電流を決定する(図6参照)。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)