Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019043918) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau internationalFormuler une observation

N° de publication : WO/2019/043918 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031625
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 01.09.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
338
à grille Schottky
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
80
l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812
à grille Schottky
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
渡辺 伸介 WATANABE, Shinsuke; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Abrégé :
(EN) The field-effect transistor according to the present invention is provided with: a semiconductor substrate; a plurality of drain electrodes provided on a first surface of the semiconductor substrate, the drain electrodes extending in a first direction; a plurality of source electrodes arranged alternately with respect to the plurality of drain electrodes; a plurality of gate electrodes, each of which is provided between the plurality of source electrodes and the plurality of drain electrodes; an input terminal connected to the plurality of gate electrodes; an output terminal connected to the plurality of drain electrodes; and a plurality of metal layers provided to the semiconductor substrate so as to be set apart from the first surface, the metal layers extending in a second direction intersecting the first direction. The plurality of metal layers include a first metal layer, and a second metal layer that is longer than the first metal layer and intersects more drain electrodes than does the first metal layer when viewed from a direction perpendicular to the first surface. From among the plurality of drain electrodes, drain electrodes having a greater line length from the input terminal to the output terminal have more metal layers provided immediately below the drain electrodes.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ comprenant : un substrat semi-conducteur ; une pluralité d'électrodes drain disposées sur une première surface du substrat semi-conducteur et s'étendant dans une première direction ; une pluralité d'électrodes source disposées en alternance relativement à la pluralité d'électrodes drain ; une pluralité d'électrodes grille disposées chacune entre la pluralité d'électrodes source et la pluralité d'électrodes drain ; une borne d'entrée reliée à la pluralité d'électrodes grille ; une borne de sortie reliée à la pluralité d'électrodes drain ; et une pluralité de couches métalliques disposées sur le substrat semi-conducteur de façon à être espacées de la première surface, les couches métalliques s'étendant dans une seconde direction croisant la première direction. La pluralité de couches métalliques comprennent une première couche métallique, et une seconde couche métallique qui est plus longue que la première couche métallique et qui croise plus d'électrodes drain que la première couche métallique vues depuis une direction perpendiculaire à la première surface. Certaines électrodes drain de la pluralité d'électrodes drain dont la longueur de ligne de la borne d'entrée à la borne de sortie est supérieure présentent davantage de couches métalliques disposées directement sous les électrodes drain.
(JA) 本願の発明に係る電界効果トランジスタは、半導体基板と、半導体基板の第1面に設けられ、第1方向に伸びる複数のドレイン電極と、複数のドレイン電極と互いに交互に並ぶ複数のソース電極と、複数のソース電極と複数のドレイン電極との間にそれぞれ設けられた複数のゲート電極と、複数のゲート電極と接続された入力端子と、複数のドレイン電極と接続された出力端子と、半導体基板に第1面と離れて設けられ、第1方向と交差する第2方向に伸びる複数の金属層と、を備え、複数の金属層は、第1金属層と、第1金属層よりも長く、第1面と垂直な方向から見て第1金属層よりも多くのドレイン電極と交差する第2金属層と、を含み、複数のドレイン電極のうち入力端子から出力端子までの線路長が短いドレイン電極ほど、直下に多くの金属層が設けられる。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)