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1. (WO2019043753) ÉLECTRODE RESSORT
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N° de publication : WO/2019/043753 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030715
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2017
CIB :
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
R
CONNEXIONS CONDUCTRICES DE L'ÉLECTRICITÉ; ASSOCIATION STRUCTURELLE DE PLUSIEURS ÉLÉMENTS DE CONNEXION ÉLECTRIQUE ISOLÉS LES UNS DES AUTRES; DISPOSITIFS DE COUPLAGE; COLLECTEURS DE COURANT
11
Éléments de connexion individuels assurant plusieurs emplacements de connexion espacés pour des organes conducteurs qui sont ou qui peuvent être interconnectés de cette façon, p.ex. pièces d'extrémité pour fils ou câbles supportées par le fil ou par le câble et possédant des moyens pour faciliter la connexion électrique avec quelqu'autre fil, borne, ou organe conducteur, répartiteurs
01
caractérisés par la forme ou par la disposition de l'interconnexion entre leurs emplacements de connexion
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
藤田 重人 FUJITA Shigeto; JP
矢次 慶和 YAJI Yoshikazu; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPRING ELECTRODE
(FR) ÉLECTRODE RESSORT
(JA) ばね電極
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a feature with which it is possible to inhibit a spring electrode from melting and disconnecting when a semiconductor chip short-circuits. A spring electrode 1, provided with a main body part 2. The main body part 2 comprises a cylindrical conductor. The diameter of the main body part 2 varies along the longitudinal direction so that the side surface thereof is bellows-shaped. Because no edge portion is present on the main body part 2 of the spring electrode 1, it becomes possible to reduce localized concentration of a short-circuit current flowing through the spring electrode 1 when the semiconductor chip 10 short-circuits. It is thereby possible to inhibit the spring electrode 1 from melting and disconnecting.
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une caractéristique avec laquelle il est possible d'empêcher la fusion et la déconnexion d'une électrode ressort lorsqu'une puce à semi-conducteur subit un court-circuit. Une électrode ressort (1) est pourvue d'une partie corps principal (2). La partie corps principal (2) comprend un conducteur cylindrique. Le diamètre de la partie corps principal (2) varie le long de la direction longitudinale de sorte que sa surface latérale soit en forme de soufflet. Comme aucune partie bord n'est présente sur la partie corps principal (2) de l'électrode ressort (1), il devient possible de réduire la concentration localisée d'un courant de court-circuit circulant à travers l'électrode ressort (1) lorsque la puce à semi-conducteur (10) subit un court-circuit. Il est ainsi possible d'empêcher la fusion et la déconnexion de l'électrode ressort (1).
(JA) 半導体チップの短絡時にばね電極が溶解して断線することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。ばね電極1は、本体部2を備えている。本体部2は、筒状の導体により構成され、かつ、側面が蛇腹状になるように径が長手方向に沿って変化する。ばね電極1の本体部2においてエッジ部分が存在しないため、半導体チップ10の短絡時にばね電極1に流れる短絡電流の局所的集中を低減することができる。これにより、ばね電極1が溶解して断線することを抑制できる。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)