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1. (WO2019043715) SURFACE DE DIAMANT À TERMINAISON D'HYDROGÈNE REVÊTUE D'OXYDES DE MÉTAUX DE TRANSITION ET UTILISATIONS ASSOCIÉES
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N° de publication : WO/2019/043715 N° de la demande internationale : PCT/IL2018/050971
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 02.09.2018
CIB :
H01B 1/04 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1
Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
04
composés principalement soit de compositions à base de carbone-silicium, soit de carbone soit de silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16
comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée
Déposants :
TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LTD. [IL/IL]; Senate House Technion City 3200000 Haifa, IL
Inventeurs :
KALISH, Rafi; IL
TORDJMAN, Moshe; IL
Mandataire :
AVITAL, Avihu; BEN-AMI & ASSOCIATES P.O Box 94 7610002 Rehovot, IL
Données relatives à la priorité :
62/553,87103.09.2017US
Titre (EN) TRANSITION-METAL OXIDES-COATED HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND SURFACE AND USES THEREOF
(FR) SURFACE DE DIAMANT À TERMINAISON D'HYDROGÈNE REVÊTUE D'OXYDES DE MÉTAUX DE TRANSITION ET UTILISATIONS ASSOCIÉES
Abrégé :
(EN) The present invention provides a conducting material comprising a carbon-based material selected from a diamond or an insulating diamond-like carbon, having a hydrogen- terminated surface and a layer of tungsten trioxide, rhenium trioxide, or chromium oxide coating said hydrogen-terminated surface. Such conducting materials are useful in the fabrication of electronic components, electrodes, sensors, diodes, field effect transistors, and field emission electron sources.
(FR) La présente invention concerne un matériau conducteur comprenant un matériau à base de carbone sélectionné parmi un diamant ou un carbone de type diamant isolant, ayant une surface à terminaison hydrogène et une couche de trioxyde de tungstène, de trioxyde de rhénium ou d'oxyde de chrome recouvrant ladite surface à terminaison hydrogène. Ces matériaux conducteurs sont utiles dans la fabrication de composants électroniques, d'électrodes, de capteurs, de diodes, de transistors à effet de champ et de sources d'électrons à émission de champ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)