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1. (WO2019043270) RÉACTEURS CHIMIQUES
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N° de publication : WO/2019/043270 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073789
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 04.09.2018
CIB :
B01J 19/00 (2006.01) ,B01L 3/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
J
PROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE, CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
19
Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en général; Appareils appropriés
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
L
APPAREILS DE LABORATOIRE POUR LA CHIMIE OU LA PHYSIQUE, À USAGE GÉNÉRAL
3
Récipients ou ustensiles pour laboratoires, p.ex. verrerie de laboratoire; Compte-gouttes
Déposants :
PHARMAFLUIDICS NV [BE/BE]; Technologiepark-Zwijnaarde 3 9052 Gent, BE
Inventeurs :
DE MALSCHE, Wim; BE
OP DE BEECK, Jeff; BE
JACOBS, Paul; BE
CLAEREBOUT, Bo; BE
Mandataire :
WAUTERS, Davy; BE
EGO, Christophe; BE
VAES, Peter; BE
CLERINX, Peter; BE
HERTOGHE, Kris; BE
VAN BLADEL, Marc; BE
Données relatives à la priorité :
2017/561904.09.2017BE
Titre (EN) CHEMICAL REACTORS
(FR) RÉACTEURS CHIMIQUES
Abrégé :
(EN) A method for producing a chemical reactor device based on a fluid flow is 5 described. The method comprises obtaining a substrate with a fluid channel defined by a channel wall, in which an ordered set of silicon pillar structures is positioned in the fluid channel and electrochemically anodising at least the silicon pillar structures to make the silicon pillar structures porous at least to a certain depth. After the anodising, the substrate and pillar structures are thermally treated, the treatment being carried out at a temperature, with a duration and in an atmosphere such that any silicon oxide layer formed has a thickness of less than 20 nm. The substrate and the pillar structures are further functionalised.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif de réacteur chimique sur la base d'un écoulement de fluide 5. Le procédé comprend l'obtention d'un substrat avec une voie de canalisation de fluides définie par une paroi de canal, dans laquelle un ensemble ordonné de structures de pilier de silicium est positionné dans la voie de canalisation de fluides, et l'anodisation électrochimique d'au moins les structures de pilier de silicium pour les rendre poreuses au moins jusqu'à une certaine profondeur. Après l'anodisation, les structures de substrat et de pilier sont traitées thermiquement, le traitement étant effectué à des température, durée et atmosphère telles que toute couche d'oxyde de silicium formée possède une épaisseur inférieure à 20 nm. Le substrat et les structures de pilier sont en outre fonctionnalisés.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)