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1. (WO2019043206) DISPOSITIF À FILM MINCE À TRANSITION DE PHASE
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N° de publication : WO/2019/043206 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073550
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01) ,H03H 9/42 (2006.01) ,G01L 9/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
30
Réseaux retardateurs
42
utilisant des ondes acoustiques de surface
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
L
MESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
9
Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent
Déposants :
KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN [BE/BE]; KU Leuven R&D Waaistraat 6 - box 5105 3000 Leuven, BE
Inventeurs :
LOCQUET, Jean-Pierre; BE
SEO, Jin Won Maria; BE
MENGHINI, Mariela; BE
HOMM JARA, Pia; BE
Mandataire :
DENK IP BVBA; BE
HERTOGHE, Kris; BE
Données relatives à la priorité :
1713937.931.08.2017GB
1713940.331.08.2017GB
1810275.622.06.2018GB
1810969.404.07.2018GB
Titre (EN) PHASE TRANSITION THIN FILM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FILM MINCE À TRANSITION DE PHASE
Abrégé :
(EN) The disclosed device comprises a thin film layer (4) of a phase transition material disposed over a substrate (2), and a confinement layer (3) adjacent to the thin film layer. The thin film layer has first and second in-plane lattice parameters and an out-of-plane lattice parameter when undergoing the phase transition, and the confinement layer has first and second in-plane layer lattice parameters and an out-of-plane layer lattice parameter. The confinement layer lattice parameters are within a range which allows to control the onset of and/or block the phase transition.
(FR) Le dispositif selon la présente invention comprend une couche de film mince (4) d'un matériau de transition de phase disposé sur un substrat (2), et une couche de confinement (3) adjacente à la couche de film mince. La couche de film mince comprend des premier et second paramètres de réseau dans le plan et un paramètre de réseau hors plan lors de sa soumission à la transition de phase, et la couche de confinement comprend des premier et second paramètres de réseau de couche dans le plan et un paramètre de réseau de couche hors plan. Les paramètres de réseau de la couche de confinement s'inscrivent dans une plage permettant de commander le déclenchement et/ou le blocage de la transition de phase.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)