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1. (WO2019043028) MODULE DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MODULE DE PUISSANCE DE CE TYPE
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N° de publication : WO/2019/043028 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073176
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/488 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Inventeurs :
MITIC, Gerhard; DE
STEGMEIER, Stefan; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 215 039.429.08.2017DE
Titre (EN) POWER MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MODULE DE PUISSANCE DE CE TYPE
(DE) LEISTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN LEISTUNGSMODULS
Abrégé :
(EN) The invention relates to a power module comprising a semiconductor component and an electrical conductor. The electrical conductor is electrically contacted to the semiconductor chip by means of a contact, wherein the electrical conductor extends therefrom at least in the surroundings of the contact such that it becomes increasingly spaced apart from the semiconductor component the further it is spaced apart from the contact, and insulation is provided against which the conductor bears on its side facing away from the semiconductor component.
(FR) Le module de puissance présente un composant à semi-conducteur et un conducteur électrique. Le conducteur électrique est mis en contact électrique avec la puce semi-conductrice au moyen d'un contact, le conducteur électrique s'écartant du contact au moins aux environs de celui-ci de sorte que la distance qui le sépare du composant à semi-conducteur augmente avec la distance par rapport au contact, une isolation étant présente, contre laquelle est appliqué le conducteur au niveau de son côté opposé au composant semi-conducteur.
(DE) Das Leistungsmodul weist ein Halbleiterbauelement und einen elektrischen Leiter auf. Der elektrische Leiter ist mittels eines Kontakts elektrisch an den Halbleiterchip kontaktiert, wobei sich der elektrische Leiter zumindest in einer Umgebung des Kontakts derart von diesem fortstreckt, dass er sich mit zunehmendem Abstand von dem Kontakt zunehmend vom Halbleiterbauelement beabstandet, wobei eine Isolierung vorhanden ist, an welcher der Leiter an seiner dem Halbleiterbauelement abgewandten Seite anliegt.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)