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1. (WO2019043006) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE, COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET DÉTECTEUR À IR
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N° de publication : WO/2019/043006 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073138
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46
Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
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ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
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Éléments de mise en forme du champ optique
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
MÜLLER, Michael; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 120 168.801.09.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND IR DETECTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE, COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET DÉTECTEUR À IR
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND IR-DETEKTOR
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic component, said method comprising the following steps: - providing an optoelectronic semiconductor chip (2) having a radiation passage surface (3) on a connection carrier (1), - applying a deformable spacer (7) to the radiation passage surface (3) of the semiconductor chip (2), - inserting the connection carrier (1) with the semiconductor chip (2) into the cavity of a tool (8), wherein the tool (8) deforms the deformable spacer (7), and - encasing the semiconductor chip (2) with a potting compound (9). The invention also relates to an optoelectronic component and an IR detector.
(FR) L'invention concerne un procédé pour produire un composant optoélectronique comprenant les étapes consistant : à préparer une puce à semi-conducteur (2) optoélectronique comportant une surface perméable au rayonnement (3) sur un support de connexion (1) ; à agencer un écarteur (7) déformable sur cette surface perméable au rayonnement (3) de la puce à semi-conducteur (2) ; à introduire le support de connexion (1) et la puce à semi-conducteur (2) dans la cavité d'un outil (8), cet outil (8) déformant l'écarteur (7) déformable, et ; à enrober la puce à semi-conducteur (2) au moyen d'un matériau d'enrobage (9). Cette invention se rapporte en outre à un composant optoélectronique et à un détecteur à IR.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben : - Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (3) auf einem Anschlussträger (1), - Aufbringen eines verformbaren Abstandshalters (7) auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2), - Einbringen des Anschlussträgers (1) mit dem Halbleiterchip (2) in die Kavität eines Werkzeugs (8), wobei das Werkzeug (8) den verformbaren Abstandshalter (7) verformt, und - Umhüllen des Halbleiterchips (2) mit einer Vergussmasse (9). Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement und ein IR-Detektor angegeben.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)