Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019042814) PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/042814 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/072492
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
08
ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
KOPP, Fabian; MY
MOLNAR, Attila; MY
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 119 881.430.08.2017DE
Titre (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
Abrégé :
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1), comprising - a semiconductor body (2), which comprises a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22) and an active region (20) provided to generate radiation and arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; - wherein the active region, when the semiconductor chip is viewed from above, is subdivided into a plurality of segments (23), with a separating structure (8) being formed in the semiconductor body between each of the adjacent segments; - wherein the plurality of segments are electrically connected to one another in series and/or in parallel; and - wherein a first contact layer (3) having a first contact finger structure (35) for electrically contacting the first semiconductor layer and a second contact layer (4) having a second contact finger structure (45) for electrically contacting the second semiconductor layer are assigned to at least one segment, the first contact finger structure and the second contact finger structure partially overlapping, when the semiconductor chip is viewed from above.
(FR) L’invention concerne une puce de semi-conducteur (1), émettant un rayonnement, qui comprend - un corps semi-conducteur (2) comportant une première couche de semi-conducteur (21), une deuxième couche de semi-conducteur (22) et une région active (20) disposée entre la première couche de semi-conducteur et la deuxième couche de semi-conducteur et destinée à générer un rayonnement ; - la zone active étant divisée en vue de dessus de la puce de semi-conducteur en une pluralité de segments (23), une structure de séparation (8) étant formée dans le corps semi-conducteur entre chacun des segments adjacents ; - la pluralité de segments étant montés électriquement en série et/ou en parallèle les uns par rapport aux autres ; et - au moins un segment étant associé à une première couche de contact (3) comportant une première structure de doigts de contact (35) destinée à venir en contact électrique avec la première couche de semi-conducteur et à une deuxième couche de contact (4) comportant une deuxième structure de doigts de contact (45) destinée à venir en contact électrique avec la deuxième couche de semi-conducteur. La première structure de doigts de contact et la deuxième structure de doigts de contact se chevauchent partiellement dans une vue en plan de la puce de semi-conducteur.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (2), der eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und einen zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten und zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - der aktive Bereich in Draufsicht auf den Halbleiterchip in eine Mehrzahl von Segmenten (23) unterteilt ist, wobei zwischen benachbarten Segmenten jeweils eine Trennstruktur (8) im Halbleiterkörper ausgebildet ist; - die Mehrzahl von Segmenten zueinander elektrisch in Serie und/oder parallel verschaltet ist; und - zumindest einem Segment eine erste Kontaktschicht (3) mit einer ersten Kontaktfingerstruktur (35) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und eine zweite Kontaktschicht (4) mit einer zweiten Kontaktfingerstruktur (45) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht zugeordnet sind, wobei die erste Kontaktfingerstruktur und die zweite Kontaktfingerstruktur in Draufsicht auf den Halbleiterchip stellenweise überlappen.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)