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1. (WO2019042782) TRANCHE HÉTÉROÉPITAXIALE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE HÉTÉROÉPITAXIALE
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N° de publication : WO/2019/042782 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/072229
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 16.08.2018
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Inventeurs :
THAPA, Sarad Bahadur; DE
VORDERWESTNER, Martin; DE
Mandataire :
STAUDACHER, Wolfgang; DE
Données relatives à la priorité :
17188124.628.08.2017EP
Titre (EN) HETEROEPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING A HETEROEPITAXIAL WAFER
(FR) TRANCHE HÉTÉROÉPITAXIALE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE HÉTÉROÉPITAXIALE
Abrégé :
(EN) A heteroepitaxial wafer and a method for producing a heteroepitaxial wafer. The heteroepitaxial wafer comprises in the following order: a silicon substrate having a diameter and a thickness; an AlN nucleation layer; a first strain building layer which is an AlzGa1-zN layer having a first average Al content z, wherein 0 < z; a first strain preserving block comprising not less than 5 and not more than 50 units of a first sequence of layers, the first sequence of layers comprising an AlN layer and at least two AlGaN layers, the first strain preserving block having a second average Al content y, wherein y > z; a second strain building layer which is an AlxGa1-xN layer having a third average Al content x, wherein 0 ≤ x < y; a second strain preserving block comprising not less than 5 and not more than 50 units of a second sequence of layers, the second sequence of layers comprising an AlN layer and at least one AlGaN layer, the second strain preserving block having a fourth average Al content w, wherein x < w < y, and a GaN layer, wherein the layers between the AlN nucleation layer and the GaN layer form an AlGaN buffer.
(FR) L'invention concerne une tranche hétéroépitaxiale et un procédé de production de tranche hétéroépitaxiale. La tranche hétéroépitaxiale comprend dans l'ordre suivant : un substrat de silicium ayant un diamètre et une épaisseur ; une couche de nucléation d'AlN ; une première couche de construction de contrainte qui est une couche d'AlzGa1-zN ayant une première teneur en Al moyenne z, où 0 < z ; un premier bloc de conservation de contrainte comprenant pas moins de 5 et pas plus de 50 unités d'une première séquence de couches, la première séquence de couches comprenant une couche d'AlN et au moins deux couches d'AlGaN, le premier bloc de conservation de contrainte ayant une seconde teneur en Al moyenne y, où y > z ; une seconde couche de construction de contrainte qui est une couche d'AlxGa1-xN ayant une troisième teneur en Al moyenne x, où 0 ≤ x < y ; un second bloc de conservation de contrainte comprenant pas moins de 5 et pas plus de 50 unités d'une seconde séquence de couches, la seconde séquence de couches comprenant une couche d'AlN et au moins une couche d'AlGaN, le second bloc de conservation de contrainte ayant une quatrième teneur en Al moyenne w, où x < w < y, et une couche de GaN, les couches entre la couche de nucléation d'AlN et la couche de GaN formant un tampon d'AlGaN.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)