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1. (WO2019042748) PUCE OPTOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/042748 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/071790
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
G01J 3/02 (2006.01) ,G01J 3/12 (2006.01) ,G01J 9/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
3
Spectrométrie; Spectrophotométrie; Monochromateurs; Mesure de la couleur
02
Parties constitutives
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
3
Spectrométrie; Spectrophotométrie; Monochromateurs; Mesure de la couleur
12
Production du spectre; Monochromateurs
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
9
Mesure du déphasage des rayons lumineux; Recherche du degré de cohérence; Mesure de la longueur d'onde des rayons lumineux
Déposants :
FOS4X GMBH [DE/DE]; Thalkirchner Str. 210, Geb. 6 81371 München, DE
Inventeurs :
SCHMID, Markus; DE
Mandataire :
ZIMMERMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; Josephspitalstr. 15 80331 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 119 810.529.08.2017DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC CHIP
(FR) PUCE OPTOÉLECTRIQUE
(DE) OPTOELEKTRISCHER CHIP
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic chip (1) comprising the following elements: a light inlet (11); a wavelength-sensitive optical filter (20); a first photoelectric element (30) for measuring a first light intensity, particularly a first photodiode, the first photoelectric element (30) being arranged such that light (50) penetrating the optoelectronic chip (1) via the light inlet (11), transmittted by the filter, hits the first photoelectric element (30); and a second photoelectric element (40) for measuring a second light intensity, particularly a second photodiode, the second photoelectric element (40) being arranged such that the light (50) penetrating the optoelectronic chip via the light inlet, which is reflected by the filter (20), hits the second photoelectric element (40).
(FR) L'invention concerne une puce optoélectrique (1) qui comprend les éléments suivants : une ouverture d'entrée de lumière (11); un filtre optique (20) sensible à la longueur d'onde; un premier élément photoélectrique (30) servant à mesurer une première intensité lumineuse, en particulier une première photodiode, le premier élément photoélectrique (30) étant disposé de telle sorte que la lumière (50) pénétrant dans la puce optoélectrique (1) par l'ouverture d'entrée de lumière (11), transmise par le filtre, est incidente sur le premier élément photoélectrique (30); et un second élément photoélectrique (40) servant à mesurer une deuxième intensité lumineuse, en particulier une deuxième photodiode, le deuxième élément photoélectrique (40) étant disposé de telle sorte que la lumière (50) pénétrant dans la puce optoélectrique par l'ouverture d'entrée de lumière, réfléchie sur le filtre (20), est incidente sur le deuxième élément photoélectrique (40).
(DE) Es wird ein optoelektrischer Chip (1) angegeben, der Folgendes umfasst: eine Lichteintrittsöffnung (11); ein wellenlängensensitives optisches Filter (20); ein erstes fotoelektrisches Element (30) zum Messen einer ersten Lichtintensität, insbesondere eine erste Fotodiode, wobei das erste fotoelektrische Element (30) derart angeordnet ist, dass durch die Lichteintrittsöffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretendes Licht (50), welches das Filter transmittiert, auf das erste fotoelektrische Element (30) trifft; und ein zweites fotoelektrisches Element (40) zum Messen einer zweiten Lichtintensität, insbesondere eine zweite Fotodiode, wobei das zweite fotoelektrische Element (40) derart angeordnet ist, dass das durch die Lichteintrittsöffnung in den optoelektrischen Chip eintretende Licht (50), welches am Filter (20) reflektiert wird, auf das zweite fotoelektrische Element (40) trifft.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)