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1. (WO2019042746) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/042746 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/071786
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
H01L 33/14 (2010.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
14
ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
04
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042
Excitation électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32
comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
323
dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
PETER, Matthias; DE
WURM, Teresa; DE
EICHLER, Christoph; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 119 931.430.08.2017DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1) having a semiconductor body (10), in which there are formed an active layer (103) configured for the generation or detection of electromagnetic radiation, a first interlayer (101) and a p-type contact layer (104), and having a connecting layer (121) applied to the semiconductor body (10). The contact layer (104) is arranged between the first interlayer (101) and the connecting layer (121) and adjoins the connecting layer (121), the active layer (103) being arranged on a side of the first interlayer (101) facing away from the contact layer (104). The first interlayer (101) and the contact layer (104) are based on a nitride compound semiconductor, and the contact layer (104) is doped with a p-dopant. The contact layer (104) has a thickness of no more than 50nm and has a lower aluminium content than the first interlayer (101).
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur (1) optoélectronique comprenant un corps semi-conducteur (10) dans lequel sont réalisées une couche active (103) mise au point pour générer ou détecter un rayonnement électromagnétique, une première couche intermédiaire (101) et une couche de contact (104) conductrice de type p. L'invention concerne également une couche de raccordement (121) appliquée sur le corps semi-conducteur (10). La couche de contact (104) est disposée entre la première couche intermédiaire (101) et la couche de raccordement (121), jouxte la couche de raccordement (121) ; et la couche active (103) est disposée sur un côté, opposé à la couche de contact (104), de la première couche intermédiaire (101). La première couche intermédiaire (101) et la couche de contact (104) sont basées sur un semi-conducteur à composé nitrure, et la couche de contact (104) est dopée avec un dopant de type p. La couche de contact (104) présente une épaisseur de 50 nm au maximum et comprend une teneur en aluminium inférieure à celle de la première couche intermédiaire (101).
(DE) Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement(1)mit einem Halbleiterkörper (10), in dem eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Schicht (103), eine erste Zwischenschicht (101) und eine p-leitende Kontaktschicht (104) ausgebildet sind, und einer auf den Halbleiterkörper (10) aufgebrachten Anschlussschicht (121) angegeben. Wobei die Kontaktschicht (104) zwischen der ersten Zwischenschicht (101) und der Anschlussschicht (121) angeordnet ist, an die Anschlussschicht (121) angrenzt und die aktive Schicht (103) auf einer der Kontaktschicht (104) abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht (101) angeordnet ist. Die erste Zwischenschicht (101) und die Kontaktschicht (104) basieren auf einem Nitridverbindungshalbleiter und die Kontaktschicht (104) ist mit einem p-Dotierstoff dotiert. Die Kontaktschicht (104) weist eine Dicke von höchstens 50nm auf und hat einen geringeren Aluminiumgehalt als die erste Zwischenschicht (101).
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)