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1. (WO2019042662) PHOTOMULTIPLICATEUR À SEMI-CONDUCTEURS À PLAGE DE TENSION DE FONCTIONNEMENT AMÉLIORÉE
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N° de publication : WO/2019/042662 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/070088
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 25.07.2018
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
24
avec des détecteurs à semi-conducteurs
Déposants :
SENSL TECHNOLOGIES LTD [IE/IE]; Building 6800, Avenue 6000 Cork Airport Business Park Cork, T12 CDF7, IE
Inventeurs :
DALY, Paul Malachy; IE
JACKSON, John Carlton; IE
Mandataire :
MANITZ FINSTERWALD PATENT- UND RECHTSANWALTSPARTNERSCHAFT MBB; Postfach 31 02 20 80102 München, DE
Données relatives à la priorité :
15/689,13529.08.2017US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PHOTOMULTIPLIER WITH IMPROVED OPERATING VOLTAGE RANGE
(FR) PHOTOMULTIPLICATEUR À SEMI-CONDUCTEURS À PLAGE DE TENSION DE FONCTIONNEMENT AMÉLIORÉE
Abrégé :
(EN) The present disclosure relates to a semiconductor photomultiplier (100) comprising an array of interconnected microcells; wherein the array comprises at least a first type of microcell (125) having a first junction region of a first geometric shape; and a second type of microcell (225) having a second junction region of a second geometric shape.
(FR) La présente invention concerne un photomultiplicateur à semi-conducteurs (100) comprenant un réseau de microcellules interconnectées; le réseau comprenant au moins un premier type de microcellules (125) présentant une première région de jonction d'une première forme géométrique; et un second type de microcellules (225) présentant une seconde région de jonction d'une seconde forme géométrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)