Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019042643) CIRCUIT D’ATTAQUE À SORTIE À HAUTE TENSION POUR UN DISPOSITIF DE CAPTEURS À BLOCAGE DE COURANT INVERSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/042643 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/068946
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 12.07.2018
CIB :
H03K 19/00 (2006.01) ,H03K 19/003 (2006.01) ,H03K 19/0185 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
19
Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
[IPC code unknown for H03K 19/03]
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
19
Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175
Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
0185
utilisant uniquement des transistors à effet de champ
Déposants :
AMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten, AT
Inventeurs :
LEONARDO, Vincenzo; CH
STEFANUCCI, Camillo; CH
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
17188317.629.08.2017EP
Titre (EN) HIGH-VOLTAGE OUTPUT DRIVER FOR A SENSOR DEVICE WITH REVERSE CURRENT BLOCKING
(FR) CIRCUIT D’ATTAQUE À SORTIE À HAUTE TENSION POUR UN DISPOSITIF DE CAPTEURS À BLOCAGE DE COURANT INVERSE
Abrégé :
(EN) A high-voltage output driver (1) for a sensor device (100) with reverse current blocking comprises a supply node (SN) to apply a supply voltage (VHV)and an output node (OP) to provide an output signal (OS) of the high-voltage output driver (1). The high-voltage output driver (1) comprises a driver transistor (MP0) being disposed between the supply node (SN) and the output node (OP). The high-voltage output driver (1) further comprises a bulk control circuit (20) to apply a bulk control voltage (Vwell) to a bulk node (BMP0) of the driver transistor (MP0), and a gate control circuit (30) to apply a gate control voltage (GCV) to thegate node (GMP0) of the driver transistor (MP0).
(FR) L’invention concerne un circuit d’attaque (1) à sortie à haute tension pour un dispositif de capteurs (100) à blocage de courant inverse qui comprend un nœud d’alimentation (SN) pour appliquer une tension d’alimentation (VHV) et un nœud de sortie (OP) pour émettre un signal de sortie (OS) du circuit d’attaque (1) à sortie à haute tension. Le circuit d’attaque (1) de sortie à haute tension comprend un transistor (MP0) de circuit d’attaque qui est disposé entre le nœud d’alimentation (SN) et le nœud de sortie (OP). Le circuit d’attaque (1) de sortie à haute tension comprend en outre un circuit de contrôle en volume (20) pour appliquer une tension de contrôle en volume (Vwell) à un nœud de volume (BMP0) du transistor (MP0) de circuit d’attaque, et un circuit de contrôle de grille (30) pour appliquer une tension de contrôle de grille (GCV) au nœud de grille (GMP0) du transistor (MP0) du circuit d’attaque.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)