Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019042526) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/042526 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/071558
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2017
CIB :
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
64
Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
ALIAS, Asliza; MY
KHOO, Lay Sin; MY
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) An optoelectronic semiconductor device (10) is provided, the optoelectronic semiconductor device (10) comprising a carrier (11) having a main plane of extension and at least one semiconductor chip (12) arranged on the carrier (11). The optoelectronic semiconductor device (10) further comprises a frame (13) which is arranged on the carrier (11) and which surrounds the at least one semiconductor chip (12) in lateral directions (x, y) which are parallel to the main plane of extension of the carrier (11), and a conversion layer (14) covering the at least one semiconductor chip (12) and the frame (13). The at least one semiconductor chip (12) extends further in a vertical direction (z) than the frame (13), where the vertical direction (z) is perpendicular to the main plane of extension of the carrier (11). Furthermore, the at least one semiconductor chip (12) is configured to emit electromagnetic radiation during operation of the optoelectronic semiconductor device (10), and the frame (13) and the at least one semiconductor chip (12) are spaced from each other in the lateral directions (x, y) by a gap (15). Moreover, a method for forming the optoelectronic semiconductor device (10) is provided.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur optoélectronique (10), le dispositif semi-conducteur optoélectronique (10) comprenant un support (11) ayant un plan principal d'extension et au moins une puce semi-conductrice (12) disposée sur le support (11). Le dispositif à semi-conducteur optoélectronique (10) comprend en outre un cadre (13) qui est disposé sur le support (11) et qui entoure l'au moins une puce semi-conductrice (12) dans des directions latérales (x, y) qui sont parallèles au plan principal d'extension du support (11), et une couche de conversion (14) recouvrant l'au moins une puce semi-conductrice (12) et le cadre (13). L'au moins une puce semi-conductrice (12) s'étend davantage dans une direction verticale (z) que le cadre (13), la direction verticale (z) étant perpendiculaire au plan principal d'extension du support (11). En outre, l'au moins une puce semi-conductrice (12) est configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique pendant le fonctionnement du dispositif à semi-conducteur optoélectronique (10), et le cadre (13) et l'au moins une puce semi-conductrice (12) sont espacés l'un de l'autre dans les directions latérales (x, y) par un espace (15). L'invention concerne en outre un procédé de formation du dispositif à semi-conducteur optoélectronique (10).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)