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1. (WO2019042088) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE SURFACE TEXTURÉE SUR UNE SURFACE DE SILICIUM CRISTALLISÉ
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N° de publication : WO/2019/042088 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/098680
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H01L 31/18 (2006.01) ,C30B 33/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
08
Gravure
10
dans des solutions ou des bains fondus
Déposants :
苏州易益新能源科技有限公司 SHARESUN CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 吴中区越溪街道前珠路18-38号2幢 Building 2, No.18-38 Qianzhu Road, Wuzhong District Suzhou, Jiangsu 215100, CN
Inventeurs :
覃榆森 QIN, Yusen; CN
季静佳 JI, Jingjia; CN
Données relatives à la priorité :
201710787640.504.09.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING TEXTURED SURFACE ON SURFACE OF CRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE SURFACE TEXTURÉE SUR UNE SURFACE DE SILICIUM CRISTALLISÉ
(ZH) 一种在晶体硅表面制备绒面的方法
Abrégé :
(EN) A method for preparing a textured surface on a surface of a crystalline silicon wafer, comprising generating a chemical conversion coating on a surface of a crystalline silicon wafer, and implementing chemical etching on a partial surface of the crystalline silicon wafer by virtue of the non-uniformity and discontinuity of the chemical conversion coating during growth thereof, thereby achieving the purpose of preparing a textured surface on the surface of the crystalline silicon wafer.
(FR) L'invention concerne un procédé de préparation d'une surface texturée sur une surface d'une tranche de silicium cristallisé, consistant à générer un revêtement de conversion chimique sur une surface d'une tranche de silicium cristallisé, et à mettre en œuvre une gravure chimique sur une surface partielle de la tranche de silicium cristallisé en vertu de la non-uniformité et de la discontinuité du revêtement de conversion chimique pendant la croissance de celui-ci, ce qui permet de réaliser une surface texturée sur la surface de la tranche de silicium cristallisé.
(ZH) 一种在晶体硅片表面制备绒面的方法,其特征是在晶体硅片表面生成一层化学转化膜,利用化学转化膜在生长过程中的不均匀性和不连续性,对晶体硅片的局部表面实施化学腐蚀,达到在晶体硅片表面制备绒面的目的。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)