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1. (WO2019041957) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE INTÉGRÉ TRIDIMENSIONNELLE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ASSOCIÉE
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N° de publication : WO/2019/041957 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/090475
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No.18, Huaguang Road, Guandong Science And Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventeurs :
ZHU, Jifeng; CN
CHEN, Jun; CN
HU, Si Ping; CN
LU, Zhenyu; CN
Mandataire :
NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center 36 North Third Ring Road East Dongcheng District Beijing 100013, CN
Données relatives à la priorité :
201710775896.431.08.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED WIRING STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE INTÉGRÉ TRIDIMENSIONNELLE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ASSOCIÉE
Abrégé :
(EN) Embodiments of methods and structures for forming a 3D integrated wiring structure are disclosed. The method can include forming an insulating layer on a front side of a first substrate; forming a semiconductor layer on a front side of the insulating layer; patterning the semiconductor layer to expose at least a portion of a surface of the insulating layer; forming a plurality of semiconductor structures over the front side of the first substrate, wherein the semiconductor structures include a plurality of conductive contacts and a first conductive layer; joining a second substrate with the semiconductor structures; performing a thinning process on a backside of the first substrate to expose the insulating layer and one end of the plurality of conductive contacts; and forming a conductive wiring layer on the exposed insulating layer.
(FR) L'invention concerne des modes de réalisation de procédés et de structures pour former une structure de câblage intégré 3D. Le procédé peut comprendre la formation d'une couche isolante sur un côté avant d'un premier substrat; la formation d'une couche semi-conductrice sur un côté avant de la couche isolante; la formation de motifs sur la couche semi-conductrice pour exposer au moins une partie d'une surface de la couche isolante; la formation d'une pluralité de structures semi-conductrices sur le côté avant du premier substrat, les structures semi-conductrices comprenant une pluralité de contacts conducteurs et une première couche conductrice; la jonction d'un second substrat aux structures semi-conductrices; la réalisation d'un processus d'amincissement sur un coté arrière du premier substrat pour exposer la couche isolante et une extrémité de la pluralité de contacts conducteurs; et la formation d'une couche de câblage conductrice sur la couche isolante exposée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)