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1. (WO2019041956) PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURE DE CÂBLAGE INTÉGRÉ TRIDIMENSIONNELLE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ASSOCIÉE
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N° de publication : WO/2019/041956 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/090457
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
Déposants :
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No.18, Huaguang Road, Guandong Science And Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventeurs :
ZHU, Jifeng; CN
CHEN, Jun; CN
HU, Siping; CN
LU, Zhenyu; CN
Mandataire :
NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center 36 North Third Ring Road East, Dongcheng District Beijing 100013, CN
Données relatives à la priorité :
201710774763.531.08.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED WIRING STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURE DE CÂBLAGE INTÉGRÉ TRIDIMENSIONNELLE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ASSOCIÉE
Abrégé :
(EN) Embodiments of methods and structures for forming a 3D integrated wiring structure are disclosed. The method can include forming a dielectric layer in a first substrate; forming a semiconductor structure having a first conductive contact over a front side of the first substrate; and forming a second conductive contact at a backside of the first substrate, wherein the second conductive contact extends through a backside of the dielectric layer and connects to a second end of the first conductive contact. The 3D integrated wiring structure can include a first substrate, having a front side and a backside; a dielectric layer in the first substrate; a semiconductor structure over the front side of the first substrate, having a first conductive contact; and a second conductive contact at the backside of the first substrate, and the second conductive contact extends through a backside of the dielectric layer and connects to the second end of the first conductive contact.
(FR) Selon des modes de réalisation, l'invention concerne des procédés et des structures permettant de former une structure de câblage intégré 3D. Le procédé peut consister à former une couche diélectrique dans un premier substrat; à former une structure semi-conductrice ayant un premier contact conducteur sur un côté avant du premier substrat; et à former un second contact conducteur sur un côté arrière du premier substrat, le second contact conducteur s'étendant à travers un côté arrière de la couche diélectrique et se connectant à une seconde extrémité du premier contact conducteur. La structure de câblage intégré 3D peut comprendre un premier substrat, ayant un côté avant et un côté arrière; une couche diélectrique dans le premier substrat; une structure semi-conductrice sur le côté avant du premier substrat, ayant un premier contact conducteur; et un second contact conducteur sur le côté arrière du premier substrat, et le second contact conducteur s'étend à travers un côté arrière de la couche diélectrique et se connecte à la seconde extrémité du premier contact conducteur.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)