Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019041934) STRUCTURE D'ÉLECTRODE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SUBSTRAT DE MATRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/041934 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/089632
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 01.06.2018
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
王东方 WANG, Dongfang; CN
袁广才 YUAN, Guangcai; CN
Mandataire :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 CCPIT PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; 中国北京市 西城区阜成门外大街2号万通新世界广场8层 8th Floor, Vantone New World Plaza, 2 Fuchengmenwai Street, Xicheng District Beijing 100037, CN
Données relatives à la priorité :
201710769888.930.08.2017CN
201721104937.930.08.2017CN
Titre (EN) ELECTRODE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, THIN-FILM TRANSISTOR, AND ARRAY SUBSTRATE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SUBSTRAT DE MATRICE
(ZH) 电极结构及其制作方法、薄膜晶体管和阵列基板
Abrégé :
(EN) Disclosed are an electrode structure and a method for manufacturing same, a thin-film transistor and an array substrate. An electrode structure is provided, and comprises: a conductor (23 or 25) comprising protective layers and a conductive layer (10), wherein the protective layers comprise first protective layers (11 and 12) arranged on a surface of the conductive layer, and a second protective layer (13) arranged on at least a side face of the conductive layer; and the second protective layer is used for isolating the conductive layer from the outside.
(FR) L'invention concerne une structure d'électrode et son procédé de fabrication, un transistor à couches minces et un substrat de matrice. Une structure d'électrode est prévue, et comprend : un conducteur (23 ou 25) comprenant des couches de protection et une couche conductrice (10), les couches de protection comprenant des premières couches de protection (11 et 12) disposées sur une surface de la couche conductrice, et une seconde couche de protection (13) disposée sur au moins une face latérale de la couche conductrice; et la seconde couche de protection étant utilisée pour isoler la couche conductrice de l'extérieur.
(ZH) 本发明实施例公开了一种电极结构及其制作方法、薄膜晶体管和阵列基板。提供了一种电极结构,包括:包括保护层和导电层(10)的导电体(23或25),所述保护层包括:设置在所述导电层表面的第一保护层(11和12)和设置在至少导电层侧面的第二保护层(13),所述第二保护层用于将所述导电层与外部隔离。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)