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1. (WO2019041904) DISPOSITIF DE LIMITATION, STRUCTURE DE LIMITATION, PROCÉDÉ DE RÉGLAGE ASSOCIÉ, ET SYSTÈME DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
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N° de publication : WO/2019/041904 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/088180
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 24.05.2018
CIB :
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/54 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
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caractérisé par le procédé de revêtement
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Commande ou régulation du processus de revêtement
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥鑫晟光电科技有限公司 HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 新站区工业园内 Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs :
段廷原 DUAN, Tingyuan; CN
邹清华 ZOU, Qinghua; CN
姚固 YAO, Gu; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层陈源 CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201710758151.729.08.2017CN
Titre (EN) LIMITING DEVICE, LIMITING STRUCTURE, ADJUSTING METHOD THEREFOR, AND VAPOR DEPOSITION SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE LIMITATION, STRUCTURE DE LIMITATION, PROCÉDÉ DE RÉGLAGE ASSOCIÉ, ET SYSTÈME DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(ZH) 限制装置、限制结构及其调节方法和蒸镀系统
Abrégé :
(EN) A limiting device for vapor deposition, comprising a limiting structure; the limiting structure comprises a first adjusting structure (1) and a second adjusting structure (2) which are provided on the same plane, the first adjusting structure (1) being opposite to a side of the second adjusting structure (2), and the first adjusting structure (1) and the second adjusting structure (2) being spaced apart from each other to form a spacing region. The first adjusting structure (1) and the second adjusting structure (2) are configured to be able to move relative to each other so as to adjust the range of the spacing region. Further provided are an adjusting method for a limiting structure, an adjusting method for a limiting device, and a vapor deposition system.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de limitation pour un dépôt en phase vapeur, comprenant une structure de limitation ; la structure de limitation comprend une première structure de réglage (1) et une seconde structure de réglage (2) qui sont disposées sur le même plan, la première structure de réglage (1) étant disposée en regard d'un côté de la seconde structure de réglage (2), et la première structure de réglage (1) et la seconde structure de réglage (2) étant espacées l'une de l'autre pour former une région d'espacement. La première structure de réglage (1) et la seconde structure de réglage (2) sont conçues pour pouvoir se déplacer l'une par rapport à l'autre de sorte à régler la plage de la région d'espacement. L'invention concerne en outre un procédé de réglage pour une structure de limitation, un procédé de réglage pour un dispositif de limitation, et un système de dépôt en phase vapeur.
(ZH) 一种用于蒸镀的限制装置,包括限制结构,限制结构包括设置于同一平面上的第一调节结构(1)和第二调节结构(2),第一调节结构(1)与第二调节结构(2)的侧边相对,且第一调节结构(1)与第二调节结构(2)相互间隔形成间隔区域。第一调节结构(1)和第二调节结构(2)构造为相对彼此可移动,以调节间隔区域的范围。还公开一种限制结构的调节方法、限制装置的调节方法以及蒸镀系统。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)