Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019041894) TRANSISTOR À COUCHE MINCE FLEXIBLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau internationalFormuler une observation

N° de publication : WO/2019/041894 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/087309
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 17.05.2018
CIB :
H01L 27/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
Déposants :
昆山国显光电有限公司 KUNSHAN GO-VISIONOX OPTO-ELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省昆山 开发区龙腾路1号4幢 Building 4 No.1, Longteng Road, Development Zone Kunshan, Jiangsu 215300, CN
Inventeurs :
来春荣 LAI, Chunrong; CN
宗记文 ZONG, Jiwen; CN
Mandataire :
北京布瑞知识产权代理有限公司 BEIJING BRIGHT IP AGENCY CO., LTD.; 中国北京市 朝阳区广顺北大街5号院内32号B228 B228, No. 32, Inside the No. 5 Yard Guangshun North Street, Chaoyang District Beijing 100102, CN
Données relatives à la priorité :
201710776518.831.08.2017CN
Titre (EN) A FLEXIBLE THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE FLEXIBLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法
Abrégé :
(EN) The present invention discloses a flexible thin-film transistor and a manufacturing method thereof. The thin-film transistor comprises a substrate; an active layer formed on top of the substrate; a gate layer formed on top of the active layer; and an organic insulating layer formed on top of the gate layer. The invention reduces the stress of an interlayer dielectric layer and reduces overall thickness of the interlayer dielectric layer, thereby increasing the degree to which a flexible display screen can bend.
(FR) La présente invention concerne un transistor à couche mince flexible et son procédé de fabrication. Le transistor à couche mince comprend un substrat; une couche active formée sur le dessus du substrat; une couche de grille formée sur le dessus de la couche active; et une couche isolante organique formée sur le dessus de la couche de grille. L'invention réduit la contrainte d'une couche diélectrique intercouche et réduit l'épaisseur globale de la couche diélectrique intercouche, ce qui permet d'augmenter le degré auquel un écran d'affichage flexible peut fléchir.
(ZH) 本发明公开了一种柔性薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括:基板;有源层,形成在基板上方;栅极,形成在有源层上方;以及有机绝缘层,形成在栅极上方。本发明减小了层间介电层的应力,降低了层间介电层的整体厚度,进而提升柔性显示屏的可弯折程度。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Chinois (ZH)
Langue de dépôt : Chinois (ZH)