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1. (WO2019041829) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/041829 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/083535
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 18.04.2018
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
刘威 LIU, Wei; CN
Mandataire :
中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区西三环北路87号4-1105室 Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089, CN
Données relatives à la priorité :
201710778593.831.08.2017CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD, DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及制作方法、显示基板及制作方法、显示装置
Abrégé :
(EN) Provided is a thin film transistor and manufacturing method, a display substrate and manufacturing method, and a display device. A thin film transistor of an embodiment of the present disclosure comprises an active layer pattern provided on a substrate, a gate electrode insulating pattern provided on the active layer pattern, and a gate electrode provided on the gate electrode insulating pattern. Between the gate electrode and the gate electrode insulating pattern is provided a conducting pattern electrically connected to the gate electrode. The conducting pattern is superimposed on the gate electrode insulating pattern in an orthographic projection thereof on the substrate.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces et un procédé de fabrication, un substrat d'affichage et un procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage. Un transistor à couches minces selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un motif de couche active disposé sur un substrat, un motif d'isolation d'électrode de grille disposé sur le motif de couche active, et une électrode de grille disposée sur le motif d'isolation d'électrode de grille. Entre l'électrode de grille et le motif d'isolation d'électrode de grille est disposé un motif conducteur connecté électriquement à l'électrode de grille. Le motif conducteur est superposé sur le motif d'isolation d'électrode de grille dans une projection orthographique de celui-ci sur le substrat.
(ZH) 提供了一种薄膜晶体管及制作方法、显示基板及制作方法、显示装置。本公开实施例的薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的有源层图案、设置在有源层图案上的栅极绝缘图案,以及设置在栅极绝缘图案上的栅极;栅极与栅极绝缘图案之间设置有导电图案,导电图案与栅极电连接;导电图案与栅极绝缘图案在衬底基板上的正投影重合。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)