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1. (WO2019041797) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR FEUILLE D'ÉLECTRODE POUR CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE EN ALUMINIUM BASSE TENSION À FAIBLE RÉSISTANCE DE CONTACT
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N° de publication : WO/2019/041797 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/080808
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 28.03.2018
CIB :
H01G 9/055 (2006.01) ,C23F 1/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9
Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
004
Détails
04
Electrodes
048
caractérisées par leur structure
055
Electrodes à feuille mince gravée chimiquemennt
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
F
ENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
1
Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
10
Compositions de décapage
14
Compositions aqueuses
16
Compositions acides
20
pour l'aluminium ou ses alliages
Déposants :
南通海星电子股份有限公司 NANTONG HAIXING ELECTRONICS LIMITED LIABILITY COMPANY [CN/CN]; 中国江苏省南通市 通州区平潮镇通扬南路518号 No.518, South Tongyang Road, Pingchao Town, Tongzhou District Nantong, Jiangsu 226300, CN
南通海一电子有限公司 NANTONG HAIYI ELECTRONICS CO., LIMITED [CN/CN]; 中国江苏省南通市 通州区平潮镇通扬南路519号 No.519, South Tongyang Road, Pingchao Town, Tongzhou District Nantong, Jiangsu 226300, CN
Inventeurs :
严季新 YAN, Jixin; CN
陈健 CHEN, Jian; CN
王建中 WANG, Jianzhong; CN
赵宇飞 ZHAO, Yufei; CN
吴春春 WU, Chunchun; CN
冒慧敏 MAO, Huimin; CN
Mandataire :
南京正联知识产权代理有限公司 NANJING ZHENGLIAN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 中国江苏省南京市 汉中门大街一号金鹰汉中新城27层 27/F Golden Eagle Hanzhong New City, No.1 Hanzhongmen Street Nanjing, Jiangsu 210029, CN
Données relatives à la priorité :
201710765155.830.08.2017CN
Titre (EN) ETCHING METHOD FOR ELECTRODE FOIL FOR LOW-CONTACT RESISTANCE LOW-VOLTAGE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR FEUILLE D'ÉLECTRODE POUR CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE EN ALUMINIUM BASSE TENSION À FAIBLE RÉSISTANCE DE CONTACT
(ZH) 一种低接触电阻低压铝电解电容器用电极箔腐蚀方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is an etching method for an electrode foil for a low-contact resistance low-voltage aluminum electrolytic capacitor, comprising the steps of: performing a pretreatment by means of immersion in a sodium hydroxide solution; performing power-on etching for 10-85 seconds in a hydrochloric acid and sulfuric acid solution; immersing in the hydrochloric acid and sulfuric acid solution for 10-85 seconds, rinsing by means of tap water, and repeating the etching, immersion and rinsing steps four times; performing pore broadening power-on etching for 10-85 seconds in a hydrochloric acid, sulfuric acid and phosphoric acid etching liquid, immersing for 10-85 seconds in the hydrochloric acid, sulfuric acid and phosphoric acid etching liquid, rinsing by means of tap water, and repeating the etching, immersion and rinsing steps eight times; and immersing by means of a hydrochloric acid solution, immersing by means of a nitric acid solution, rinsing by means of pure water, and then performing an annealing treatment. The etching method utilizes multi-level pore-forming multi-level low frequency pore broadening to control the etched morphology, and correspondingly performs multiple steps of treatments in a bath solution and warm rinsing to enable the aluminium powder and foreign ions to be fully rinsed during the etching process in order to finally obtain an electrode foil for a low-contact resistance low-voltage aluminium electrolytic capacitor, wherein the electrode foil is uniform in terms of the thickness of the residual core layer, is suitable in terms of the aluminium content in the etched layer, and is low in terms of the aluminium powder and foreign ion contents, and the contact resistance, after formation, can be reduced by 40% or more.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure pour une feuille d'électrode pour un condensateur électrolytique en aluminium basse tension à faible résistance de contact, comprenant les étapes consistant à : effectuer un prétraitement par immersion dans une solution d'hydroxyde de sodium ; effectuer une gravure de puissance pendant 10 à 85 secondes dans une solution d'acide chlorhydrique et d'acide sulfurique ; immerger dans l'acide chlorhydrique et la solution d'acide sulfurique pendant 10 à 85 secondes, rincer au moyen d'eau du robinet, et répéter les étapes de gravure, d'immersion et de rinçage quatre fois ; effectuer une gravure de puissance d'élargissement de pores pendant 10 à 85 secondes dans un acide chlorhydrique, de l'acide sulfurique et un liquide de gravure d'acide phosphorique, immerger pendant 10 à 85 secondes dans l'acide chlorhydrique, l'acide sulfurique et le liquide de gravure d'acide phosphorique, rincer au moyen d'eau du robinet, et répéter les étapes de gravure, d'immersion et de rinçage huit fois ; et immerger au moyen d'une solution d'acide chlorhydrique, immerger au moyen d'une solution d'acide nitrique, rincer au moyen d'eau pure, puis effectuer un traitement de recuit. Le procédé de gravure utilise un élargissement de pores basse fréquence multi-niveaux formant des pores multi-niveaux pour commander la morphologie gravée, et réalise de manière correspondante de multiples étapes de traitements dans une solution de bain et un rinçage à chaud pour permettre à la poudre d'aluminium et aux ions étrangers d'être complètement rincés pendant le processus de gravure afin d'obtenir finalement une feuille d'électrode pour un condensateur électrolytique d'aluminium basse tension à faible résistance de contact, la feuille d'électrode étant uniforme en termes d'épaisseur de la couche centrale résiduelle, étant appropriée en termes de teneur en aluminium dans la couche gravée, et étant faible en termes de poudre d'aluminium et de contenu d'ions étrangers, et la résistance de contact, après la formation, pouvant être réduite de 40 % ou plus.
(ZH) 本发明公开了一种低接触电阻低压铝电解电容器用电极箔腐蚀方法,包括以下步骤:用氢氧化钠溶液浸泡前处理;盐酸、硫酸溶液加电腐蚀10~85秒,盐酸、硫酸溶液浸泡10~85秒,自来水清洗,重复腐蚀、浸泡及清洗步骤4次;在盐酸、硫酸及磷酸腐蚀液中进行扩孔加电腐蚀10~85秒,盐酸、硫酸及磷酸溶液浸泡10~85秒,自来水清洗,重复腐蚀、浸泡及清洗步骤8次;采用盐酸溶液浸泡、硝酸溶液浸泡,纯水清洗后退火处理。本发明采用多级发孔多级低频扩孔控制腐蚀形貌,并对应进行多步槽液中处理及温水清洗,使腐蚀过程的铝粉及杂质离子得到充分清洗,最终得到残芯层厚度均匀、腐蚀层铝含量适中、铝粉及杂质离子含量低的低接触电阻低压铝电解电容器用电极箔,化成后接触电阻可降低40%以上。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)