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1. (WO2019041630) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
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N° de publication : WO/2019/041630 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/115861
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 13.12.2017
CIB :
H01L 21/84 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
84
le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
Déposants :
惠科股份有限公司 HKC CORPORATION LIMITED [CN/CN]; 中国广东省深圳市 宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋,九州阳光1号厂房5、7楼 5th and 7th Floor of Factory Building 1, Jiuzhou Yangguang Factory Buildings 1, 2, 3 of HKC Industrial Park Privately Operated Industrial Park, Shuitian Village, Shiyan Sub-district, Baoan District Shenzhen, Guangdong 518108, CN
Inventeurs :
何怀亮 HE, Huailiang; CN
Mandataire :
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 CO-HORIZON INTELLECTUAL PROPERTY INC.; 中国北京市 朝阳区小关北里甲2号渔阳置业大厦B座605 Suite 605, B Block, Yuyang Zhiye Building No. A2, Xiaoguanbeili, Chaoyang District Beijing 100029, CN
Données relatives à la priorité :
201710757117.829.08.2017CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD AND DEVICE FOR ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
(ZH) 阵列基板的制作方法及其制作设备
Abrégé :
(EN) A manufacturing method and device for an array substrate. The manufacturing method comprises: forming an active switch on a substrate (1); forming a transparent electrode layer (17) on the active switch; and forming a pixel layer on the transparent electrode layer (17). The method of forming an active switch on a substrate (1) comprises: forming a metal layer (11, 14) on the substrate; bombarding the metal layer (11, 14) with hydrogen ions; and forming a protective layer (12, 15) on the metal layer (11, 14).
(FR) L’invention concerne un procédé et un dispositif de fabrication d’un substrat de matrice. Le procédé de fabrication consiste : à former un commutateur actif sur un substrat (1) ; à former une couche d’électrode transparente (17) sur le commutateur actif ; et à former une couche de pixels sur la couche d’électrode transparente (17). Le procédé de formation d’un commutateur actif sur un substrat (1) consiste : à former une couche de métal (11, 14) sur le substrat ; à bombarder la couche de métal (11, 14) avec des ions hydrogène ; et à former une couche protectrice (12, 15) sur la couche de métal (11, 14).
(ZH) 一种阵列基板的制作方法及其制作设备,所述制作方法包括:在基板(1)上形成主动开关;在所述主动开关上形成透明电极层(17);在所述透明电极层(17)上形成像素层;所述在基板(1)上形成主动开关的方法包括:在基板上形成金属层(11、14);采用氢离子轰击所述金属层(11、14);以及在所述金属层(11、14)上形成保护层(12、15)。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)