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1. (WO2019041554) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AMOLED, ET SUBSTRAT AMOLED
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N° de publication : WO/2019/041554 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/109832
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 08.11.2017
CIB :
H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
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le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室 305 Room, Building C5 Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430079, CN
Inventeurs :
马蹄遥 MA, Tiyao; CN
Mandataire :
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; 中国广东省深圳市 福田区深南大道6021号喜年中心A座1709-1711 Hailrun Complex Block A, Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040, CN
Données relatives à la priorité :
201710747902.528.08.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING AMOLED SUBSTRATE AND AMOLED SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AMOLED, ET SUBSTRAT AMOLED
(ZH) AMOLED基板的制作方法及AMOLED基板
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing an AMOLED substrate (1, 2) and the AMOLED substrate (1, 2). The method comprises: providing a base substrate (110, 210); coating the surface of the base substrate (110, 210) with a PI film (120, 220); and sequentially preparing an isolation layer (130, 230), a non-metal layer (140, 240), a buffer layer (150, 250), and a TFT array (160, 260) above the PI film (120, 220). The non-metal layer (140, 240) provided above the PI film (120, 220) is used for absorbing laser penetrating through the buffer layer (150, 250) during preparation of the TFT array (160, 260).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat AMOLED (1, 2) et le substrat AMOLED (1, 2) obtenu. Le procédé comprend : la mise en place d'un substrat de base (110, 210); le revêtement de la surface du substrat de base (110, 210) avec un film PI (120, 220); et l'installation séquentielle d'une couche d'isolation (130, 230), d'une couche non métallique (140, 240), d'une couche tampon (150, 250), et d'un réseau TFT (160, 260) au-dessus du film PI (120, 220). La couche non métallique (140, 240) disposée au-dessus du film PI (120, 220) sert à absorber le laser pénétrant la couche tampon (150, 250) pendant l'installation du réseau TFT (160, 260).
(ZH) 一种AMOLED基板(1,2)的制作方法及AMOLED基板(1,2),包括:提供一衬底基板(110,210);在衬底基板(110,210)表面涂布一层PI膜(120,220);在PI膜(120,220)上方依次制备隔离层(130,230)、非金属层(140,240)、缓冲层(150,250)和TFT阵列(160,260);其中,设置于PI膜(120,220)上方的非金属层(140,240)用于吸收TFT阵列(160,260)的制备过程中穿透缓冲层(150,250)的激光。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)