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1. (WO2019041491) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE MATÉRIAU DE FILM MINCE EN ZNS POUR CELLULES SOLAIRES
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N° de publication : WO/2019/041491 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/107226
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 23.10.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 31/0296 (2006.01) ,H01L 31/0392 (2006.01) ,H01L 31/0445 (2014.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0296
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036
caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
0392
comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
[IPC code unknown for H01L 31/0445]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
苏州云舒新材料科技有限公司 SUZHOU YUNSHU NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 吴中区越溪街道南官渡路6号 No. 6, South Guandu Road Yuexi Street, Wuzhong Suzhou, Jiangsu 215104, CN
Inventeurs :
戴晓宸 DAI, Xiaochen; CN
Mandataire :
常州知融专利代理事务所(普通合伙) CHANGZHOU ZIRRON PATENT OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP); 中国江苏省常州市 武进区常武北路1号1号楼613室 Room 613, Building 1 No. 1, Changwu North Road, Wujin Changzhou, Jiangsu 213161, CN
Données relatives à la priorité :
201710777992.201.09.2017CN
Titre (EN) PREPARATION METHOD FOR ZNS SOLAR CELL THIN FILM MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE MATÉRIAU DE FILM MINCE EN ZNS POUR CELLULES SOLAIRES
(ZH) 一种ZnS太阳能电池薄膜材料的制备方法
Abrégé :
(EN) A preparation method for a ZnS solar cell thin film material, the method using a zinc ion solution and a selenium powder solution as a thin film precursor; under the action of a viscosity modifier, coating the thin film mother liquor on a substrate; performing vacuum vulcanisation; and annealing and stabilising to obtain the ZnS thin film material. The manufacturing process of the prepared ZnS solar cell material thin film material is simple, and the thin film material has high conductivity and large capacitance, and good scope for application.
(FR) L'invention concerne un procédé de préparation de matériau de film mince en ZnS pour cellules solaires, le procédé utilisant une solution d'ions de zinc et une solution de poudre de sélénium comme précurseur de film mince ; sous l'action d'un modificateur de viscosité, revêtement d'un substrat au moyen de la liqueur mère de film mince ; réalisation d'une vulcanisation sous vide ; et recuit et stabilisation pour obtenir le matériau de film mince en ZnS. Le procédé de fabrication du matériau de film mince en ZnS préparé pour le matériau de cellules solaires est simple, et le matériau de film mince présente une conductivité élevée et une grande capacité ainsi qu'un bon champ d'application.
(ZH) 一种ZnS太阳能电池薄膜材料的制备方法,该工艺利用锌离子溶液及硒粉溶液作为薄膜前驱体,在粘度调节剂的作用下将薄膜母液涂布在衬底上,然后进行真空硫化作用,退火稳固得到ZnS薄膜材料。制备而成的ZnS太阳能电池薄膜材料,其制作工艺简单、薄膜材料电导率高、电容量大,具有较好的应用前景。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)