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1. (WO2019041490) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MATÉRIAU DE FILM MINCE THERMOÉLECTRIQUE DE GAN
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N° de publication : WO/2019/041490 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/107224
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 23.10.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 35/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
22
comprenant des composés contenant du bore, du carbone, de l'oxygène ou de l'azote
Déposants :
苏州云舒新材料科技有限公司 SUZHOU YUNSHU NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 吴中区越溪街道南官渡路6号 No. 6, South Guandu Road Yuexi Street, Wuzhong Suzhou, Jiangsu 215104, CN
Inventeurs :
戴晓宸 DAI, Xiaochen; CN
Mandataire :
常州知融专利代理事务所(普通合伙) CHANGZHOU ZIRRON PATENT OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP); 中国江苏省常州市 武进区常武北路1号1号楼613室 Room 613, Building 1 No. 1, Changwu North Road, Wujin Changzhou, Jiangsu 213161, CN
Données relatives à la priorité :
201710777997.501.09.2017CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR GAN THERMOELECTRIC THIN FILM MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MATÉRIAU DE FILM MINCE THERMOÉLECTRIQUE DE GAN
(ZH) 一种GaN热电薄膜材料的制备方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a manufacturing method for a GaN thermoelectric thin film material. The process utilizes a patterned sapphire substrate that undergoes H2 purification, low-temperature buffered growth, warmed transverse growth, and pressurized annealing to produce the GaN thin film material. The GaN thermoelectric thin film material so manufactured has great overall uniformity, a high breakdown voltage, extended service life, and improved application prospects.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau de film mince thermoélectrique de GaN. Le procédé utilise un substrat de saphir à motifs qui subit une purification par H2, une croissance tamponnée à basse température, une croissance transversale chauffée et un recuit sous pression pour produire le matériau de film mince de GaN. Le matériau de film mince thermoélectrique de GaN ainsi fabriqué présente une grande uniformité globale, une tension de claquage élevée, une durée de vie en service prolongée et des perspectives d'application améliorées.
(ZH) 公开了一种GaN热电薄膜材料的制备方法,该工艺利用图形化蓝宝石衬底经H 2净化、低温缓冲生长、升温横向生长、加压退火得到GaN薄膜材料。制备而成的GaN热电薄膜材料,其整体均匀性好、击穿电压高、使用寿命长,具有较好的应用前景。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)